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场效应MOS管AP9950AGH-HF参数

PD最大耗散功率:92.6WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:68VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AP9950AGH-HF是一款应用广泛的N沟道增强型功率MOSFET(场效应管),其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:AP9950AGH-HF在电源管理系统中起到关键作用,特别是在DC-DC转换器和AC-DC转换器中。其高效的开关性能和低导通电阻使其能够在高频操作中提供高效能量转换,从而提高整体系统的效率。

    2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统和电池管理系统中,AP9950AGH-HF因其高电流承载能力和高耐压特性,能够在恶劣的工作环境中提供可靠的性能。同时,其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,延长电池续航时间。

    3. 消费电子产品:AP9950AGH-HF广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等消费电子产品中。其紧凑的封装和高效的热管理特性,使其适用于各种便携式电子设备,为这些设备提供高效的电源管理解决方案。

    4. 工业控制设备:在工业自动化和控制设备中,AP9950AGH-HF凭借其高耐压和高可靠性,能够在高应力环境下稳定运行,适用于变频器、伺服系统和机器人控制等应用场景。

    5. 光伏逆变器:AP9950AGH-HF在光伏逆变器中被广泛使用,主要用于直流电到交流电的转换过程中。其高效的开关性能和低损耗特性,帮助提高整个光伏系统的转换效率,增加发电量。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AP9950AGH-HF具有极低的导通电阻,这意味着在开通状态下,它能够允许更大的电流通过,同时减少功率损耗。这一特性在高效电源管理和高电流应用中尤为重要。

    - 高击穿电压:AP9950AGH-HF的击穿电压高达30V,使其能够在更高电压的应用中稳定工作,并提供更高的电压保护,适合需要高耐压的电源管理和工业控制应用。

    - 快速开关速度:AP9950AGH-HF具有快速的开关速度,能够在短时间内完成开关动作。这使得它在高频应用中表现优异,减少开关损耗,提高系统整体效率。

    - 热管理性能:AP9950AGH-HF采用先进的封装技术,具有良好的热管理性能。它能够在高功率和高频操作下有效散热,保证器件的稳定性和可靠性,延长使用寿命。

    - 高可靠性和耐用性:AP9950AGH-HF经过严格的质量控制和测试,具有高可靠性和耐用性。它能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能,适用于要求严苛的工业和汽车应用。

    综上所述,AP9950AGH-HF凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理系统、电动汽车、消费电子、工业控制设备和光伏逆变器等领域。其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、优异的热管理性能和高可靠性,使其成为各种高效电源和高电流应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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