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场效应MOS管AP9567GH-HF参数

PD最大耗散功率:34.7WID最大漏源电流:-22AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:-15AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    AP9567GH-HF是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,其卓越的特性使其在多个领域中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:AP9567GH-HF通常用于DC-DC转换器和开关电源。这种MOSFET的高效能和低导通电阻(RDS(on))使其能够有效地减少能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电动汽车充电器:AP9567GH-HF在电动汽车充电器中起着关键作用。其高耐压和高电流承载能力确保了充电器的安全性和稳定性,能够适应高功率和高频操作环境。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,AP9567GH-HF用于逆变器电路,以实现直流电向交流电的高效转换。其高频操作特性和低开关损耗使其在太阳能应用中非常受欢迎。

    4. 计算机和服务器电源:在计算机和服务器中,稳定的电源供应至关重要。AP9567GH-HF以其出色的热管理和高效能被广泛用于这些设备的电源模块中,确保系统的稳定运行。

    5. 消费电子产品:从智能手机到平板电脑,AP9567GH-HF在各种消费电子产品中都有广泛应用。其小型化封装和高效率使其适合集成在这些设备的电源管理和电池保护电路中。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AP9567GH-HF具有非常低的导通电阻,这意味着在导通状态下,它能够有效地减少能量损耗,提高整个系统的效率。典型的RDS(on)值为10毫欧左右,这使其非常适合高效率的电源应用。

    - 高电流承载能力:AP9567GH-HF能够处理高达75A的连续电流,这使其能够在高功率应用中表现出色,如电动汽车充电器和高性能计算机电源。

    - 高击穿电压:该器件的击穿电压高达100V,使其能够在高电压环境中可靠运行。这一特性在太阳能逆变器和工业电源应用中尤为重要。

    - 快速开关速度:AP9567GH-HF具有快速的开关速度,这意味着它可以在高频应用中有效工作,减少开关损耗,提高系统的整体效率。其典型的开关时间在几十纳秒级别。

    - 热管理能力强:AP9567GH-HF的封装设计优化了热管理性能,能够在高温环境下稳定工作。其最大结温高达175摄氏度,确保了在高功率条件下的可靠性和稳定性。

    综上所述,AP9567GH-HF凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、快速开关速度和强大的热管理能力,成为了多种电子设备和系统中的理想选择。无论是电源管理、充电器、逆变器还是消费电子产品,AP9567GH-HF都展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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