PD最大耗散功率:12.5WID最大漏源电流:-20AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:-10AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:AP9435GH常用于开关电源和DC-DC转换器中,作为主开关元件,因其低导通电阻能够有效降低功耗,提高转换效率。
2. 电机驱动:在电机驱动电路中,AP9435GH用于控制电机的启停和转速调节,提供高效稳定的电流输出,确保电机的正常运转。
3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等,AP9435GH用于电池管理和充电电路,保证设备安全充电和电池的长寿命。
4. 通信设备:在路由器、交换机等通信设备中,AP9435GH用于信号切换和功率放大,支持高速数据传输和稳定的信号质量。
5. 工业控制:工业自动化设备中,AP9435GH用于控制系统中的各种执行元件,如继电器、阀门等,确保系统高效可靠运行。
二、参数特点:
- 低导通电阻(Rds(on)):AP9435GH的导通电阻通常在20毫欧姆以下,这意味着在开通状态下,MOSFET的损耗较低,有助于提高系统的整体效率。
- 高电流能力:AP9435GH能够处理高达30A的连续漏极电流,适用于需要大电流处理的应用,如电源管理和电机驱动等。
- 低栅极电荷(Qg):AP9435GH的低栅极电荷使其在高频开关应用中具备快速的开关速度和低的开关损耗,有助于提高转换效率。
- 高耐压能力:AP9435GH的最大漏源极电压为30V,适用于低压应用环境,确保在额定电压范围内的稳定工作。
- 优异的热性能:AP9435GH的结电阻(RθJA)较低,能够有效散热,确保在高功率工作条件下的稳定运行,延长元件使用寿命。
综上所述,AP9435GH作为一种性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流处理能力、低栅极电荷和高耐压能力,在电源管理、电机驱动、消费电子、通信设备和工业控制等领域有着广泛的应用。其优异的参数特点使其在各类应用中表现出色,成为电子设计工程师的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号