PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.006ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. DC-DC转换器:AP83T03GH-HF 常用于DC-DC转换器中,尤其是在高效率和高功率密度要求的场合。它在开关模式电源(SMPS)中表现优异,能够有效地转换电压,减少能量损耗,提高整体系统效率。
2. 电动工具:在电动工具中,电机驱动电路需要高效可靠的MOSFET。AP83T03GH-HF 具备高电流承载能力和低导通电阻,非常适合这种高要求的应用场景。
3. 汽车电子:在汽车电子系统中,MOSFET器件广泛用于各种电源控制和保护电路。AP83T03GH-HF 由于其高可靠性和低开关损耗,被广泛应用于汽车的电控单元(ECU)、电池管理系统(BMS)以及其他关键电子控制模块中。
4. 工业控制系统:在工业控制系统中,稳定可靠的电源和控制信号传输至关重要。AP83T03GH-HF 能够在复杂的工业环境中提供优异的性能,保证设备的长时间稳定运行。
5. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,电源管理和散热设计是关键问题。AP83T03GH-HF 因其高效低热特性,常用于这些设备的电源管理模块中,以确保设备的高性能和长续航。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):AP83T03GH-HF 的典型导通电阻非常低,这意味着在相同电流下产生的热量更少,从而提高了效率并降低了散热需求。
- 高电流承载能力:AP83T03GH-HF 具有高电流承载能力,能够处理高达数十安培的电流,适合需要高功率处理的应用场景。
- 高击穿电压:该型号的MOSFET具有高达30V的击穿电压,能够在更高的电压条件下工作,提供更好的电路保护。
- 低栅极电荷(Qg):AP83T03GH-HF 具备低栅极电荷特性,使其能够快速开关,减少开关损耗,提高效率,特别适合高频率应用。
- 坚固耐用的封装:AP83T03GH-HF 采用TO-252封装,这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还保证了器件的机械稳定性,适合各种苛刻的工作环境。
综上所述,AP83T03GH-HF 以其低导通电阻、高电流承载能力、高击穿电压、低栅极电荷和坚固封装等参数特点,广泛应用于DC-DC转换器、电动工具、汽车电子、工业控制系统以及消费电子产品等多个领域。无论是在提升效率还是在增强可靠性方面,AP83T03GH-HF 都表现出了极大的优势。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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