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场效应MOS管AP73T02GH-HF参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:57AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AP73T02GH-HF是一款高效能MOSFET器件,适用于多种电子设备。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:AP73T02GH-HF在现代电源管理系统中被广泛应用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。其低导通电阻和高效能使其在高频操作时能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机控制:对于需要精确控制的电机驱动应用,如电动车和工业自动化设备,AP73T02GH-HF提供了快速切换能力和高功率处理能力,确保电机运行的稳定性和效率。

    3. 通信设备:在现代通信设备中,特别是无线通信基站和路由器,AP73T02GH-HF用于功率放大器和信号调节器。其高效能和可靠性能够保证设备在高负荷条件下的稳定工作。

    4. 消费电子产品:在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,AP73T02GH-HF作为电池管理系统的一部分,提供了可靠的电源控制,延长了设备的电池寿命和使用时间。

    5. 太阳能逆变器:在可再生能源应用中,AP73T02GH-HF被用于太阳能逆变器,以其高效的功率转换性能,确保太阳能系统的高效运行和稳定输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AP73T02GH-HF具有极低的导通电阻,典型值为7.3毫欧。这意味着在工作时,它能够有效减少电能的损耗,提高整个系统的效率。

    - 高漏极-源极电压(VDS):该器件的最大漏极-源极电压为20V,使其能够在较高电压环境下安全工作,适用于需要处理较大电压的应用场景。

    - 高脉冲电流(ID):AP73T02GH-HF能够处理高达100A的脉冲电流,这对于需要处理瞬时高电流的应用,如电机驱动和电源开关,非常关键。

    - 低栅极电荷(Qg):该MOSFET的栅极电荷典型值仅为55nC,这使得其能够在高频操作下实现快速切换,降低开关损耗,提高整体系统效率。

    - 封装形式:AP73T02GH-HF采用了标准的TO-252封装形式,这种封装形式不仅具有良好的散热性能,而且便于安装和使用,适合各种电路设计和组装需求。

    综上所述,AP73T02GH-HF凭借其低导通电阻、高漏极-源极电压、高脉冲电流、低栅极电荷以及优秀的封装形式,成为电源管理、电机控制、通信设备、消费电子产品和太阳能逆变器等领域的理想选择。在这些应用中,AP73T02GH-HF都表现出卓越的性能和可靠性,为各种电子设备提供了高效和稳定的电源解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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