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场效应MOS管AP25N10GH-HF参数

PD最大耗散功率:96WID最大漏源电流:23AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.08ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AP25N10GH-HF是一种N沟道功率MOSFET,以其出色的性能和广泛的应用场景而受到关注。本文将详细介绍AP25N10GH-HF的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在各种电源管理系统中,AP25N10GH-HF因其高效的开关性能和低导通电阻,常用于DC-DC转换器和电源适配器中。它能够有效地降低能耗,提高系统的整体效率。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,AP25N10GH-HF凭借其高电流承载能力和快速开关速度,被用于电动工具、电动车辆和工业电机的驱动电路中,确保电机运行的稳定性和可靠性。

    3. 照明设备:在LED照明驱动电路中,AP25N10GH-HF以其高效的功率转换能力,帮助实现更高效的能量利用,延长LED灯具的使用寿命,同时减少热量的产生。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,AP25N10GH-HF用于逆变器电路,确保从直流到交流的高效能量转换。其高耐压和高效开关特性,使其成为太阳能系统中可靠的组件。

    5. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,AP25N10GH-HF用于电池管理和电源调节模块中,确保设备的安全性和电力供应的稳定性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(Rds(on)):AP25N10GH-HF的导通电阻非常低,这意味着在开关状态下能量损失较少,从而提高了整个电路的效率。例如,其典型的导通电阻值仅为10毫欧左右,这使得它在大电流应用中表现尤为出色。

    - 高电流承载能力:AP25N10GH-HF能够承受高达25安培的连续电流,这使其在需要高电流的应用中表现出色,如电机驱动和大功率电源管理。

    - 高耐压能力:AP25N10GH-HF的耐压能力高达100伏特,适用于高电压环境下的电路设计。这使得它在需要处理高压信号和负载的应用中非常有用。

    - 快速开关速度:AP25N10GH-HF具有快速的开关特性,其典型的开关时间为几十纳秒。这一特性确保了其在高频应用中的高效性能,如开关电源和高频转换器。

    - 热性能良好:AP25N10GH-HF的热阻低,热性能优异,能够在高功率运行时有效散热,确保器件的可靠性和使用寿命。其结到外壳的热阻通常在1.5°C/W左右,适合在需要高散热效率的应用场合使用。

    综上所述,AP25N10GH-HF凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高耐压能力、快速开关速度和良好的热性能,在电源管理、电机控制、照明设备、太阳能逆变器和消费电子产品等多种应用场景中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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