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场效应MOS管AM30N10-78D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:21AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.078ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AM30N10-78D是一款高效能的N沟道MOSFET,其广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中,AM30N10-78D可用作主开关器件,其低导通电阻和高开关速度使其非常适合高效能电源设计。

    2. 电机控制:AM30N10-78D在电机驱动应用中表现优异,尤其是在需要高电流和高效率的场景下。它可以用于各种电机控制电路,如无刷直流电机和步进电机驱动。

    3. 电池保护:在电池管理系统中,AM30N10-78D用于保护电池免受过电流和短路影响,其高可靠性和低损耗特性为电池的长寿命和安全性提供保障。

    4. 音频放大器:该MOSFET可用于高保真音频放大器电路中,其优越的线性度和低失真特性使其成为高品质音频系统的理想选择。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,AM30N10-78D可用于逆变器电路,其高效率转换特性能够有效提高整体系统的能量利用率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AM30N10-78D的导通电阻非常低,典型值在几毫欧范围内。这意味着在开关过程中产生的功耗较低,提高了电路的整体效率。

    - 高击穿电压:该MOSFET的击穿电压高达100V,能够承受较高的电压应力,适用于需要高电压操作的电路设计。

    - 高脉冲电流能力:AM30N10-78D具有出色的脉冲电流处理能力,能够在短时间内处理高达数十安培的电流,适用于需要高峰值电流的应用。

    - 快速开关速度:由于其低栅极电荷特性,AM30N10-78D具有快速的开关速度,减少了开关损耗,提高了电路的响应速度。

    - 热稳定性:AM30N10-78D在高温下仍能保持良好的性能,其热阻低,有效降低了运行中的温度升高,保证了设备的稳定性和可靠性。

    综上所述,AM30N10-78D凭借其优越的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机控制、电池保护、音频放大以及太阳能逆变器等多种领域,是现代电子设计中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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