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场效应MOS管2SK3767参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:4.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK3767是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,2SK3767常用于主开关管。它的高效转换能力和低导通电阻使其在高频率和高效率的开关电源中表现出色。

    2. 电机驱动:2SK3767也被广泛应用于电机驱动器中,尤其是直流电机和无刷电机的驱动。这是因为其快速的开关速度和高电流处理能力,可以有效地控制电机的转速和扭矩。

    3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,2SK3767用于DC-AC转换过程。它的高耐压和高电流处理能力,确保逆变器能稳定、高效地工作。

    4. 电池管理系统:2SK3767也常用于电动汽车和储能系统的电池管理系统(BMS)中。其低导通电阻和高效能使其在高电流的充放电过程中能有效降低能量损耗。

    5. 高频变换器:由于2SK3767具备高频特性,它在高频变换器中表现出色,如无线充电器和高频变压器中,能够有效提高能量传输效率。

    二、参数特点:

    1. 耐压性:2SK3767的漏源极电压(Vds)最大值为600V,这使其适用于高压应用,如开关电源和逆变器。

    2. 电流能力:其连续漏极电流(Id)最大值为10A,脉冲漏极电流最大值可达40A,适合处理大电流需求的应用场景,如电机驱动和电池管理系统。

    3. 导通电阻:在10V栅极驱动电压下,2SK3767的导通电阻(Rds(on))典型值为0.75Ω,低导通电阻有助于提高效率,减少功率损耗。

    4. 开关速度:2SK3767具备快速的开关速度,其开关时间包括上升时间(tr)和下降时间(tf)都在几十纳秒级别,适用于高频应用。

    5. 封装形式:2SK3767通常采用TO-220封装,这种封装形式便于散热和安装,同时能够满足较大功率处理的需求。

    综上所述,2SK3767是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种环境,从高压电源到高频变换器。其卓越的性能和可靠性使其成为电力电子设备中不可或缺的元件,无论是在开关电源还是在电机驱动中,2SK3767都能提供优异的性能,确保设备的高效稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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