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场效应MOS管2SK2385参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:36AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.055ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:4VVGS(th)V开启电压:0.8~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK2385是一种N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,2SK2385被用作高速开关元件。其低导通电阻和快速开关特性,使其在电源转换效率和热管理方面表现出色。

    2. 电机驱动:在直流和无刷电机驱动电路中,2SK2385常用于H桥电路中,控制电机的转速和方向。其高电流处理能力和低损耗特性,使其成为电机驱动应用中的理想选择。

    3. 太阳能逆变器:2SK2385在太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。其高效能和耐用性,有助于提高整体系统的效率和可靠性。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理系统中,2SK2385用于电池的充放电控制。其高开关速度和低导通电阻,有助于优化电池的性能和寿命。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,2SK2385用于输出级的功率放大。其线性特性和低失真,使其在高保真音频应用中表现优异。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(Vds):2SK2385的最大Vds为500V,适用于高压应用。

    - 最大连续漏极电流(Id):其最大连续Id为12A,能够处理较大的电流,适用于高功率应用。

    - 导通电阻(Rds(on):2SK2385的Rds(on)低至0.55Ω,有助于减少导通损耗,提高效率。

    - 开关速度:2SK2385具有快速开关特性,开关时间通常在几十纳秒范围内,适用于高频开关应用。

    - 栅极电荷(Qg):其栅极电荷较低,约为70nC,有助于降低驱动损耗,提高系统效率。

    综上所述,2SK2385的这些参数特点,使其在要求高效率和高性能的应用中,成为一种可靠且高效的选择。无论是用于开关电源、电机驱动,还是太阳能逆变器和电池管理系统,2SK2385都能提供出色的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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