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场效应MOS管2sk1118参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK1118是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:2SK1118常用于开关电源中,尤其是在高效能和低损耗的DC-DC转换器中。它能够在高频率下操作,减少能量损耗,提高电源效率。

    2. 电机控制:2SK1118在电机控制电路中也很常见,特别是用于无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中。其高开关速度和低导通电阻(Rds(on))有助于提高电机的性能和效率。

    3. 照明设备:在LED照明和HID(高强度气体放电灯)照明系统中,2SK1118用于恒流驱动和调光电路,确保照明设备的稳定和高效运行。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器中,2SK1118由于其低失真和高线性度,被用于输出级的功率放大器电路,提供清晰和高品质的音频输出。

    5. 太阳能逆变器:2SK1118也常用于太阳能逆变器中,将直流电转换为交流电,适用于家庭和商业太阳能系统中。其高效率和耐用性有助于最大化能源转换效率。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):2SK1118的最大漏源电压为100V,适用于中高压的电源和电机控制应用,确保在高电压条件下的稳定性和可靠性。

    - 导通电阻(Rds(on)):2SK1118具有极低的导通电阻,通常在0.25欧姆以下。这使得它在开关状态下的功率损耗极低,适合高效能的电源转换和电机控制。

    - 漏极电流(Id):最大连续漏极电流为10A,使2SK1118能够处理较大电流的应用,如电机驱动和大功率LED驱动。

    - 开关速度:2SK1118具备快速的开关特性,其开关时间通常在几十纳秒范围内。这一特点使其在高频开关电源和高频电机驱动中表现优异。

    - 栅极电荷(Qg):2SK1118的栅极电荷较低,通常在50nC左右,这使得其在驱动时所需的功率较低,适合低功耗应用。

    综上所述,2SK1118以其优异的电气特性和可靠性,在多种电子应用中发挥着重要作用。从开关电源到电机控制,再到高效照明和太阳能系统,2SK1118无疑是电子工程师们的得力助手。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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