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场效应MOS管2SK3386-Z参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.021ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    2SK3386-Z是一款高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:2SK3386-Z通常用于开关电源电路中,其低导通电阻和高开关速度使其能够有效地管理电源转换,提高整体电源效率。

    2. 电机驱动:在直流电机控制中,2SK3386-Z常被用作驱动元件,凭借其高电流承载能力和出色的热性能,能够保证电机的稳定运行。

    3. 太阳能逆变器:2SK3386-Z适用于太阳能逆变器系统中,用于将直流电转换为交流电。其高效能和稳定性有助于提高系统的能源转换效率。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,2SK3386-Z作为主要的开关元件,负责电池的充电和放电管理,确保电池的安全和寿命。

    5. 高频变换器:2SK3386-Z在高频变换器中被广泛使用,其快速开关能力使其能在高频环境下保持良好的性能,从而满足高频应用的需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:2SK3386-Z具有极低的导通电阻(RDS(on)),通常在0.9欧姆以下,这减少了功率损耗并提高了系统效率。

    - 高开关速度:2SK3386-Z的高开关速度使其能够在高频率操作中迅速切换,有助于提高整体电路的响应速度和效率。

    - 高电流承载能力:2SK3386-Z能够承载高达8安培的电流,这使其在高电流应用中表现出色,适用于各种大功率设备。

    - 耐高压:2SK3386-Z的漏源电压(VDS)高达600伏,适用于需要高压操作的应用场景,增强了设备的可靠性和安全性。

    - 热性能优越:2SK3386-Z在高温环境下仍能保持稳定的性能,其结温最高可达150摄氏度,确保在严苛条件下的可靠运行。

    综上所述,2SK3386-Z凭借其出色的参数特点和广泛的应用场景,成为许多电子设备设计中的首选元件。无论是在开关电源、电机驱动还是高频变换器中,2SK3386-Z都展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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