PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,2N60L-TN3-R由于其高效能和快速切换特性,能够有效降低功耗,提高整体电源效率。
2. 电机控制:在电机控制电路中,2N60L-TN3-R可以用来控制直流电机的开关,从而实现精确的速度和方向控制。
3. 逆变器:在逆变器电路中,2N60L-TN3-R可以作为高频开关元件,帮助将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)系统。
4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,2N60L-TN3-R用于监控和控制电池的充放电过程,确保电池的安全性和长寿命。
5. LED照明:在LED照明驱动电路中,2N60L-TN3-R用于调节电流和电压,保证LED灯的稳定和高效工作。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):2N60L-TN3-R的低导通电阻能够显著降低导通损耗,提高电路的整体效率。在高电流应用中,这一特性尤为重要。
- 高击穿电压:2N60L-TN3-R的击穿电压高达600V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于需要耐高压的应用场合。
- 快速开关速度:由于2N60L-TN3-R具有较小的栅极电荷和低的开关延迟时间,它能够在高频开关电路中实现快速切换,减少开关损耗和热量生成。
- 优异的热稳定性:2N60L-TN3-R设计优良,能够在高温环境下保持稳定的性能,确保设备的可靠运行。
- 封装类型:2N60L-TN3-R通常采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,适合安装在需要良好热管理的电路中。
综上所述,2N60L-TN3-R是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种需要高效能和高可靠性的电子电路设计中。其出色的参数特点使其在电源管理、开关电源、逆变器、电机控制、BMS和LED照明等领域表现优异。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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