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场效应MOS管25N10L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:23AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.08ΩVRDS(ON)ld通态电流:16AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    25N10L-TN3-R是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,25N10L-TN3-R被用作开关元件,以实现高效的电能转换和调节。它的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合这种应用。

    2. 电机控制:在电动工具、电动汽车和工业驱动系统中,25N10L-TN3-R用于驱动电机,提供可靠的高功率输出和精确的速度控制。其快速开关特性和耐高压能力确保了电机的平稳运行。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,25N10L-TN3-R作为逆变器中的关键组件,负责将直流电转换为交流电,供家庭和工业使用。其高效能和高可靠性对提高系统整体效率至关重要。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,25N10L-TN3-R用于控制电池的充放电过程,确保在停电时能够提供稳定的电力供应。其高电流承载能力和低损耗特性使其成为理想选择。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,25N10L-TN3-R用于功率放大阶段,提供清晰、强劲的音频输出。其优异的线性度和低失真特性确保了音质的高度保真。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:25N10L-TN3-R的导通电阻(RDS(on))非常低,在10V栅极电压下仅为25毫欧。这意味着在高电流通过时,功耗较低,效率更高。

    - 高电流处理能力:该MOSFET能够处理高达25A的连续电流,这使得它适合高功率应用,如电机驱动和电源管理。

    - 耐高压:25N10L-TN3-R的漏源极电压(VDS)最大可达100V,使其能够在高压环境下可靠运行,适用于各种需要高电压操作的设备。

    - 快速开关速度:25N10L-TN3-R具有快速的开关速度,其栅极电荷(Qg)较低,仅为50nC,能够在短时间内完成开关动作,提高系统的整体效率。

    - 高热稳定性:25N10L-TN3-R设计用于在高温环境下稳定工作,其结温最高可达175°C,配合良好的散热设计,能够在苛刻的工作条件下保持性能稳定。

    综上所述,25N10L-TN3-R凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和高热稳定性,在电源转换、电机控制、太阳能逆变器、UPS和音频放大器等应用中展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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