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场效应MOS管19N10VL-TN3-R参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:15.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    19N10VL-TN3-R是一种N沟道功率MOSFET,具有出色的导通电阻和高效的开关性能,广泛应用于以下几个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:19N10VL-TN3-R在开关电源、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)中,作为开关元件能够有效地提高系统的效率和可靠性。其低导通电阻减少了导通损耗,从而提高了整体的能效。

    2. 电动工具:19N10VL-TN3-R的高耐压和大电流处理能力,使其非常适合用于电动工具的电机驱动电路中。这些工具需要快速响应和高效能,19N10VL-TN3-R能够提供稳定的电流控制和保护功能。

    3. 汽车电子:在汽车电子中,19N10VL-TN3-R被广泛应用于电动窗、电动座椅和车载音响系统等领域。其高可靠性和低损耗性能能够满足汽车应用对稳定性和效率的严格要求。

    4. 工业自动化:在工业控制和自动化系统中,19N10VL-TN3-R用于驱动电机和控制各种工业设备。其快速的开关速度和耐用性保证了工业设备的高效运行和长寿命。

    5. 消费电子:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,19N10VL-TN3-R用于电源管理和电池保护电路。其小型化和高效能特点非常适合这些便携式设备的需求。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:19N10VL-TN3-R的典型导通电阻仅为10毫欧,这使得其在导通状态下具有极低的能量损耗,从而提高了整个系统的效率。

    2. 高耐压能力:该器件的耐压值为100V,能够处理高电压应用场景,提供可靠的电压控制和保护。

    3. 高电流处理能力:19N10VL-TN3-R的最大连续漏极电流为19A,适用于需要大电流传输的应用场景,保证设备的稳定运行。

    4. 快速开关速度:19N10VL-TN3-R具有快速的开关速度,其典型开关时间仅为几纳秒,这在高频应用中非常重要,能够显著提升系统的响应速度和效率。

    5. 耐高温性能:该器件的工作结温范围宽至-55°C至175°C,确保了在各种恶劣环境下的稳定工作,增强了应用的可靠性和耐用性。

    综上所述,19N10VL-TN3-R凭借其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力、快速开关速度和耐高温性能,在电源管理系统、电动工具、汽车电子、工业自动化和消费电子等众多领域中,展现出卓越的性能和广泛的应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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