收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管15N10L-TN3-R参数

场效应MOS管15N10L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:34.7WID最大漏源电流:14.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA


立即咨询


    15N10L-TN3-R是一款广泛应用于电力电子设备中的N沟道功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:15N10L-TN3-R在各种电源管理系统中表现优异,特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中,能够有效提高转换效率和系统稳定性。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯中,15N10L-TN3-R作为开关元件,能提供高效、可靠的性能,满足工具对高功率和高可靠性的需求。

    3. 电机驱动:15N10L-TN3-R在电机驱动电路中用于控制电流的通断,以实现电机的高效运行和精准控制,广泛应用于家用电器、工业自动化等领域。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,15N10L-TN3-R用于逆变器部分,能承受高电压和高电流,提供稳定的逆变效果。

    5. 汽车电子:15N10L-TN3-R在汽车电子中如电动窗、车灯控制系统中使用,具有高可靠性和耐用性,能够适应汽车电子系统的复杂工作环境。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):15N10L-TN3-R的最大漏源电压为100V,使其能够在高电压环境中安全工作,适合于各种高压应用。

    - 连续漏电流(ID):该型号的最大连续漏电流为15A,保证了其在高电流条件下的稳定运行,满足大功率设备的需求。

    - 导通电阻(RDS(on)):15N10L-TN3-R的导通电阻低至0.03Ω,降低了开关损耗,提高了整体效率,尤其适用于要求高效率的电源转换应用。

    - 栅极电荷(Qg):较低的栅极电荷(约为30nC)使得15N10L-TN3-R具有快速开关特性,提升了开关速度,减少了开关损耗。

    - 热阻(RθJA):该型号的热阻特性优异,能够有效散热,确保在高功率运行时不至于过热,提高了器件的可靠性和使用寿命。

    综上所述,15N10L-TN3-R凭借其出色的电气性能和广泛的应用场景,成为电力电子设备中不可或缺的重要元件。在选择和应用时,了解其详细参数特点将有助于更好地发挥其优势,实现系统的最佳性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号