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场效应MOS管12N10L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    12N10L-TN3-R是一种常见的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:12N10L-TN3-R可以用于开关电源、DC-DC转换器以及电池管理系统。这些系统需要高效的电流控制和开关特性,12N10L-TN3-R以其低导通电阻和快速开关速度满足了这些需求。

    2. 电机驱动:12N10L-TN3-R可以控制电机的启动、停止和调速。其高电流处理能力和耐高压特性使其在电机控制器中表现出色。

    3. 消费电子:在智能手机、笔记本电脑和家用电器中,12N10L-TN3-R被广泛用于电源调节和电流控制。其小体积和高效能使其成为这些便携设备的理想选择。

    4. 工业自动化:在工业自动化系统中,12N10L-TN3-R用于控制工业机械和设备的电源。这些应用要求器件具备高可靠性和耐用性,12N10L-TN3-R凭借其优异的性能满足了这些需求。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,12N10L-TN3-R被用于控制各种车载电子设备,如车灯、音响系统和电动座椅调节。其耐高温特性和稳定性能在汽车应用中尤为重要。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):12N10L-TN3-R的导通电阻非常低,这意味着在工作时产生的热量较少,效率更高。典型值为0.013Ω,使其在高电流应用中损耗更低。

    - 高电流处理能力:12N10L-TN3-R能处理高达120A的连续电流,适合需要大电流的应用场景。这使得它在电机驱动和电源管理中表现尤为出色。

    - 耐高压特性:12N10L-TN3-R的耐压值为100V,能够在高电压环境下稳定工作。这在许多工业和汽车电子应用中是一个关键参数。

    - 快速开关速度:12N10L-TN3-R具备快速的开关速度,使其在高频应用中具有明显优势。其典型开关时间在纳秒级,确保了高效的电源转换和信号处理。

    - 高结温能力:12N10L-TN3-R的最高结温可达175°C,适合在高温环境下使用,增强了其在苛刻条件下的可靠性和耐久性。

    综上所述,12N10L-TN3-R作为一种高性能的N沟道MOSFET,以其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压特性、快速开关速度和高结温能力,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业自动化和汽车电子等领域,展示了其在各种复杂应用场景中的卓越表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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