一、浪涌抑制二极管的基本工作原理
浪涌抑制二极管通常设计为在正常电路电压下保持高阻抗状态,不干扰电路的正常工作。当电路出现瞬时过压时,二极管迅速导通,并迅速将瞬时能量耗散至地。其中的关键是二极管击穿电压的设置。当外部电压超过击穿点时,二极管进入低阻抗状态并通过其内部电流通路吸收电流。
二、残留电压产生的原因
过压保护二极管虽然能有效地抑制暂时过电压,但在工作过程中仍会产生一定的残留电压。主要原因有:
1. 导通电阻引起电压下降
虽然过压保护二极管在短路条件下并不理想,但它们具有一定的导通电阻。当电流流过二极管时,由于导通电阻的原因会产生电压降,表现为残留电压。因此导通电阻越小,残余压强越低。
2. 结电容的影响
二极管的PN结具有固有结电容。当结电压发生变化时,结电容起阻流作用,导致结响应中有残留电压。结电容的大小根据二极管的不同而不同。由于其结构和材料设计,不同类型的TVS二极管具有不同的残余电压行为。
3. 电流响应时间
TVS二极管需要非常短的响应时间才能从高电阻状态转变为低电阻状态。在实际应用中,这个时间将在微秒范围内,但它仍然会影响瞬态保护的有效性。在此期间,电路中的电压将在短时间内高于预期的击穿电压。这会导致瞬时残余电压。
三、如何降低残余电压
为了降低瞬态抑制二极管的残余电压,工程师可以从以下几个方面进行优化:
1. 选择导通电阻小的二极管
通过选择导通电阻小的瞬态抑制二极管,可以有效降低通过二极管流过的电流中的电压降,从而减少残余电压。
2. 电路设计优化
应合理设计电路中的寄生电感、电容参数,以尽量减小对瞬态抑制二极管响应速度的影响,进一步降低残余电压的影响。
3. 改进二极管材料和结构
通过采用更先进的半导体材料和优化内部结构,可以有效降低结电容和导通损耗,提高二极管的整体性能,降低残余电压。
四、实际应用中残余电压的影响
在实际电路应用中,瞬态抑制二极管的残余电压通常在几伏的范围内,并不会对典型的电子设备产生明显的影响。对于对电压极为敏感的精密设备,例如高速通讯系统、精密测量仪器等,即使几伏的残留电压也会导致信号失真和数据错误。因此在这些应用中,残余电压的大小成为评价TVS二极管性能的重要指标之一。
总结
瞬态抑制二极管的残余电压是瞬态响应过程中不可避免的现象,主要是由导通电阻、电容效应、响应时间等因素造成的。虽然残余电压的存在对电路的影响有限,但在对电压异常高度敏感的应用场景中,选择高性能器件并优化电路设计以提高稳定性和可靠性是必要的。了解残余电压的原因和机制有助于工程师更好地选择器件和设计电路,确保系统安全运行。
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