新一代IFX SiC肖特基二极管（thinQ!2G）： 结合了传统SiC肖特基二极管和双极pn结构的新一代IFX SiC肖特基二极管（thinQ!2G），具有显著提升的浪涌电流承受能力和稳定的过压特性。通过优化p区域，提高发射极效率和电导率，使其在正向电压超过4V时能有效作为浪涌电流的旁路通道。此外，其优化的浪涌电流功能允许在设计时针对应用中的平均电流条件进行调整，有效处理启动和交流回落引起的浪涌及过电流。

全球功率因数调整（PFC）市场趋势： PFC市场的主要驱动力是全球性的减少谐波失真相关规定。欧洲的EN61000-3-2规范是直流供电市场的核心标准之一，英国、日本和中国均有类似标准。这些规范要求所有功耗超过75W的离线设备符合特定的谐波标准。在北美，由于缺乏相应的管理规定，能源节约和成本效益成为采用PFC的额外驱动因素，尤其是在消费电子、计算设备和通信领域。

主动PFC的应用模式： 主动PFC技术分为不连续电流模式（DCM）和连续电流模式（CCM）。DCM主要用于75W至300W的输出功率，而CCM适用于超过300W的应用。输出功率超过250W的情况下，PFC技术由于效率的补偿性提升而显得成本效益高，几乎不增加额外成本。

PFC与服务器系统架构（SSI）的一致性要求： 主动功率因数校正是符合服务器系统架构（SSI）标准的重要要求。供电模块应采用带有主动功率因数校正的通用电源输入，以减少谐波并符合EN61000-3-2及JEIDA MITI标准。此外，高功率密度的应用需要提供宽广的输入电压范围（85~265V），这对PFC级电路中使用的半导体提出了特别的技术要求。

MOSFET的操作性能和重要性： 在85V交流电压输入时，MOSFET需要极低的Rdson以减少传导热损失，因为这些损失与输入电压的立方反比相关。高频率操作的MOSFET显著降低了升压抑制，因此，快速的开关特性对于MOSFET至关重要。同时，升压二极管应具备快速开关、低Vf和低Qrr特性，以减轻在通电时的峰值电流压力。低Qrr特性对于避免温度和Rdson的增加、减少功率损失并提高效率尤其关键。

碳化硅肖特基二极管的应用优势： 碳化硅肖特基二极管由于其无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和正向电流无关的特性，极大地减少了PFC应用中的功率损耗。这在需要满足高效率标准，如80plus等法规的服务器和高端PC电源中尤为重要。利用这些特性，SiC肖特基二极管不仅提高了系统效率，还减小了无源器件的体积，对于高功率应用来说，这些优势是不可或缺的。