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开关MOS寄生二极管的五大实用技巧

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2024-06-18 浏览:-

一、二极管恢复曲线和特性测试电路

二极管的特性是通过严密的测试电路得出的。这些测试揭示了二极管在不同情况下的反向恢复过程和波形特性,这对理解其在电路中的作用至关重要。

二、寄生二极管的由来与结构差异

寄生二极管的存在主要是由于生产工艺的差异。在高功率的MOSFET中,由于漏极是从硅片底部引出的,自然形成了这种二极管。而小功率的MOSFET,如集成芯片中所用的,通常采用平面结构,漏极从硅片上方引出,与源极在同一方向,因此不存在寄生二极管。在IC中,不同类型的MOSFET(N型和P型)的衬底连接方式也会影响寄生二极管的存在与否。

三、沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构解析

在N沟道增强型功率MOSFET的沟槽型结构中,通过先进的刻蚀技术和自对准工艺,形成了具有高效导电路径的特殊结构。这种结构不仅提高了器件的导电效率,还在其侧壁形成了有效的P基区,这一新型结构在技术上具有重要意义。

四、寄生二极管的功能与电路保护

寄生二极管的主要功能是在电路中承担保护角色。当电路意外产生大量瞬间反向电流时,寄生二极管能有效导出这些电流,保护MOSFET不被损坏。这一特性是其在高压电路中不可或缺的安全特性。

五、LLC半桥谐振变换器及其电路行为

LLC半桥谐振变换器在不同模态下的电压增益和工作波形是理解其性能的关键。通过详细分析其在ZVS和ZCS状态下的模态切换,以及在不同负载条件下的输出波形,可以深入理解这种高效变换器的动态行为和优化策略。

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