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寄生振荡在热插拔控制器中的成因与原理详解

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2024-10-30 浏览:-

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寄生振荡问题是热插拔控制器中相对复杂的现象,特别是在启动和电压或电流调节期间。在确保电路稳定性和使用N沟道应用(例如,可更换控制器、浪涌保护器、电子保险丝、MOSFET (NFET) 的理想二极管控制器)时,了解原因和原理非常重要。寄生振荡通常会导致性能下降。电路的性能会下降,甚至影响整个系统的可靠性。本文详细分析了寄生振荡的原因和工作原理。

一、什么是寄生振荡

寄生振荡是一种不需要的高频振荡现象,通常由电路引起。它是由电路中无意形成的谐振路径引起的。如果电路设计中寄生电感、电容和反馈路径没有得到适当控制,热插拔控制器MOSFET很容易受到这种振荡的影响,从而导致MOSFET工作不稳定并可能损坏。为高要求而设计的领先器件的安全工作区(SOA),尤其是热插拔控制器的电流调节、浪涌保护或理想二极管控制器应用,寄生振荡的发生主要原因如下。

二、主要原因

1. 寄生电感

存在交换控制器往往会产生寄生电感。在走线本身中引入寄生电感和分布电容。当走线很长时,这些寄生效应尤其大,并且可以与FET的输入电容形成谐振电路,从而产生高频。该路径代表正反馈环路并允许谐振电路自发振荡。

2. MOSFET栅极电阻不足

如果设计时没有为MOSFET栅极添加适当的栅极电阻,则可能会发生振荡。即使MOSFET的栅极阻抗非常高,实际栅极节点处也可能存在寄生现象,但添加一个小电阻(通常在10Ω左右)可以显著减少栅极节点处的振铃并防止其发生。高跨导 (gm) MOSFET通常具有几个纳法拉的栅极电容。当多个FET通常配备VGS齐纳二极管时尤其如此。然而,这也增加了寄生电容,增加了寄生振荡的可能性。此外,MOSFET的跨导增益增大,电容反馈效应也增强,从而产生振荡。

3. 布局无效

在热插拔控制器布局中,如果MOSFET和控制器芯片之间的PCB走线过长或不控制走线的寄生参数,则寄生电感将增大,电路将因寄生电容的作用更容易发生自激振荡。因此,将栅极电阻尽可能靠近FET栅极放置可以减少寄生效应对电路的影响。

三、寄生振荡的工作原理

为了更好地理解寄生振荡是如何发生的,可以将热插拔控制器的FET电路与考毕兹振荡器进行比较。考皮兹振荡器是增益振荡器。谐振电路通过电容分压器提供正反馈,并且FET的配置类似于考毕兹振荡器的组件。该环路在上电或电压调节期间发生变化,充当共漏极配置中的缓冲器,并向电容分压器提供反馈以引起振荡。

四、关键内容:栅极电压变化和反馈

寄生振荡通常发生在以下情况下:

1. 启动阶段

栅极电压逐渐增加,同时输出电容器开始充电,产生瞬态电流。MOSFET的栅极电压引起浪涌电流波动,从而引起振荡。

2. 调节

当控制器使用有源电流限制时,电流调节会不断调整栅极电压,使其容易受到反馈振荡的影响。

3. 电压调节期间

电压调节过程中可能会出现反馈,特别是在浪涌保护应用中,导致不稳定的系统振荡。

五、解决寄生振荡的常用方法

1. 增加栅极电阻

为了减少对栅极节点的谐振影响,可在栅极上连接一个大约10Ω的电阻。这个简单的修改有效地减少了振荡,保证了栅极和控制器芯片之间的MOSFET布线电路的平滑启动,使栅极电阻尽可能靠近MOSFET引脚以减少寄生电感的影响,并避免不需要的反馈环路。

2. 降低跨导增益

在某些情况下,相应调整电路设计,降低MOSFET增益,减少寄生振荡的可能性。

3. 减少电容反馈的影响

六、实验验证及效果观察

实验表明,当测试电路的栅极电阻从0Ω逐渐增大到10Ω时,寄生振荡现象逐渐减弱,直至完全消失。该方法不仅可以消除振荡,而且可以防止意外振荡,保持电路在启动过程中的稳定,在实际应用中显示出显著的效果。

寄生振荡是由热引起的。在设计插件控制器时,可以通过增加栅极电阻、优化布局设计、降低跨导增益等方法有效抑制这种现象。工程师在设计过程中必须特别注意寄生参数的影响,以确保系统的稳定性。

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【本文标签】:寄生振荡 热插拔控制器 MOSFET振荡 N沟道应用 栅极电阻 电感反馈 电容反馈 电路稳定性 理想二极管控制器 电流调节 浪涌保护

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