一、二极管在防反接电路中的作用
当电源连接极性错误时,如果没有防护机制,反向电流将直接冲击负载,引发短路或击穿元件。而二极管具有单向导电特性,可以在电源接线错误时迅速切断电流路径,从而起到隔离和保护作用。常见的接法是将二极管串联在电源正极与负载之间,当接线正确时导通供电,反向时因二极管截止而阻止电流流动。
二、防反接电路的常见结构
1. 串联式保护结构
将一个二极管串联在电源路径中,简单可靠,适用于电流不大的场合。但该方案会造成一定的压降损耗,特别是使用普通硅二极管时压降约为0.7V。
2. 并联搭配保险丝结构
二极管反向并联在电源输入端,同时串联一个保险丝。当电源接反时,二极管短路导通,大电流熔断保险丝,从而切断电路。适合容忍一次性保护场景。
3. 使用MOS管构建理想二极管
以P沟道MOSFET为核心,构建低压降、高效率的反接保护电路。该方式常用于需要高效率和低功耗的系统,如电池供电设备或高端嵌入式系统。
三、二极管类型的选择建议
1. 普通硅二极管
适用于对压降要求不高的电路,例如12V以上系统,但在低压场景可能会损耗过大。
2. 肖特基二极管
具备低正向压降(一般为0.3V~0.5V),导通效率高,适用于对压降和功耗有严格控制要求的系统。但其反向耐压较低,选型时需特别注意匹配电源电压等级。
3. TVS瞬态抑制二极管
虽然不用于串联保护,但在并联电路中起到浪涌电压钳位和反接瞬态保护的作用,是增强防护能力的辅助器件。
四、关键参数选型参考
1. 正向电流IF
必须大于电路的最大工作电流,留足安全裕量,防止二极管过热或长期处于临界状态。
2. 正向压降VF
直接影响系统功耗,尤其是低电压系统应优先考虑压降小的器件以提升整体效率。
3. 反向耐压VRRM
必须高于电源最大电压值,考虑纹波和突波等干扰因素,通常建议留20%以上的裕度。
4. 反向漏电流IR
影响待机电流的稳定性,在微功耗系统中也要适当关注此参数。
5. 工作温度范围
确保二极管在高温环境下依然保持稳定性能,避免热失控或参数漂移。
五、实战设计小建议
1. 对于低压电池类设备,优先选择肖特基二极管,既能保护又能保证效率;
2. 如果对压降极其敏感,可考虑用MOS管替代二极管实现理想导通特性;
3. 针对容易产生脉冲电压的电源,配合TVS管使用,防护效果更全面;
4. 在空间允许的前提下,可在PCB上预留测试点,用于检查电源极性接入状态。
总结
电源防反接电路的设计并不复杂,但要做得稳定可靠,就必须从器件选型、结构布局到参数匹配各个环节都做到位。合理选择合适类型的二极管并进行精细参数匹配,能有效提升整机的耐用性和抗误操作能力,是电源设计中不可忽视的一环。
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