负电压浪涌的方法介绍

负电压浪涌对策

下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。

下面的电路是上一篇中用来验证正浪涌对策的抑制电路。使用“（a）无抑制电路、（b）仅有米勒钳位用的MOSFET（Q2）、（c）仅有钳位用的肖特基势垒二极管、（d）仅有误导通抑制电容器C1”这四种电路，通过“双脉冲测试”确认了VGS的浪涌电压。

下面是双脉冲测试中关断时的波形、从上到下依次显示了开关侧栅极－源极电压（VGS_HS）、非开关侧栅极－源极电压（VGS_LS）、漏极－源极电压（VDS）和漏极电流（ID）。图中一并列出了前述的抑制电路（a）、（b）、（c）、以及同时具备抑制电路（b）和（c）的电路（e）的波形。

从这个波形图中可以看出，除了没有对策电路的（a）外，其他任何一个抑制电路都可以消除负浪涌。

接下来，请看仅连接了误导通抑制电容器C1的验证电路（d）在双脉冲测试中的关断波形。电路图与上面给出的电路图一样。波形（a）是没有C1的比较用波形，波形（b）、（c）和（d）是有C1、C1分别为2.2nF、3.3nF和4.7nF时的波形。与不加C1的（a）相比，加了C1的波形（b）、（c）、（d）中，VGS_LS的负浪涌略有降低，但效果并不明显。因此，作为对策，需要从抑制电路（b）和（c）中作出选择，但由于（c）不能抑制正浪涌，所以最终选择（b）。如果米勒钳位控制困难且无法选择抑制电路（b），则需要通过结合使用（c）和（d）来测试和优化整个系的效率。

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