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[行业资讯]120N03场效应管参数|120N03(TO220,TO252)规格书资料|壹芯微[ 2022-04-04 12:12 ]
120N03场效应管参数|120N03(TO220,TO252)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 120N03 极性 NPN 漏源电压 30V 漏极电流 120A 封装 TO-220,TO-252...
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[行业资讯]20N03场效应管参数|20N03(TO252)规格书资料|壹芯微[ 2022-03-02 14:58 ]
20N03场效应管参数|20N03(TO252)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 20N03 极性 NPN 漏源电压 30V 漏极电流 20A 封装 TO-252
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[行业资讯]120N03场效应管参数-PDF规格书下载[ 2021-10-16 14:23 ]
120N03场效应管参数-PDF规格书下载120N03场效应管参数及代换,120N03封装引脚图,120N03中文资料规格书PDF120N03.pdf 规格书查看下载120N03场效应管参数如下：极性：NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：30VGateSourceVoltage栅源电压,VGSS：±20VContinuousDrainCurrent漏极电流连续,ID：120APowerDissipation功耗,PD：120WOperatingJunction&a
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[行业资讯]20P06场效应管参数-PDF规格书下载[ 2021-10-16 11:33 ]
20P06场效应管参数-PDF规格书下载20P06场效应管参数及代换,20P06封装引脚图,20P06中文资料规格书PDF20N03.pdf 规格书查看下载20N03场效应管参数如下：极性：NPNDrain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：30VGateSourceVoltage栅源电压,VGSS：±20VContinuousDrainCurrent漏极电流连续(TC+25°C),ID：20AMaximumPowerDissipation功耗,PD：30WPowerDi
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[行业资讯]DC004NG选型替代,120N03场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微[ 2021-09-08 11:50 ]
DC004NG选型替代,120N03场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微120N03(N沟道增强型场效应晶体管)；120N03场效应管参数；120N03场效应管封装引脚图；120N03场效应管中文资料规格书(PDF)；电流(ID)：120A，电压(VDSS)：30V，封装形式：TO252产品概要* ID=120A* VDS=30V* RDS(ON)=3.8mΩ @VGS=10V* 低栅极电荷（典型 54nC）* 快速切换* 100% 雪崩测试* 高功率和电流处理能力绝对最大额定参数（TC=25C，除非另有说明）漏
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[行业资讯]原装DC035NG替代20N03 N沟道30V,20A 贴片TO-252 MOS管厂家直营[ 2021-09-07 18:20 ]
原装DC035NG替代20N03 N沟道30V,20A 贴片TO-252  MOS管厂家直营20N03(N沟道增强型场效应晶体管)；20N03场效应管参数；20N03场效应管封装引脚图；20N03场效应管中文资料规格书(PDF)；电流(ID)：20A，电压(VDSS)：30V，封装形式：TO252产品概要* ID = 120A* VDS=30V* RDS(ON)=3.8m? @ VGS=10V * 低栅极电荷（典型 54nC）* 快速切换* 100% 雪崩测试* 高功率和电流处理能力绝对最大额定
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[行业资讯]「100N03,120N03,80N07」N沟道MOS管和P沟道MOS管全面解析(图)-壹芯微[ 2021-07-27 09:30 ]
「100N03,120N03,80N07」N沟道MOS管和P沟道MOS管全面解析(图)-壹芯微型号：100N03(100A,30V) 120N03(120A,30V) 80N07(80A,70V)品牌：壹芯微|类型：场效应管MOSFET|封装：TO-220/TO252|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点：制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电
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「15N10,20N03,70N03」关于MOS管三极管IGBT之间的关系-壹芯微型号：15N10(15A,100V) 20N63(20A,30V) 70N03(70A,30V)品牌：壹芯微|类型：场效应管MOSFET|封装：TO-252|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子&
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120N03 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微120N03（120A,30V N沟道场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询120N03场效应管主要参数参数\型号120N03极性NID(A)120VDSS(V)30RDS(ON):Max(Ω)0.0038RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~3Gfs(min):(S)48Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)
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[行业资讯]20N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-13 09:13 ]
20N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微20N03（20A,30V N沟道场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询20N03场效应管主要参数参数\型号20N03极性NID(A)20VDSS(V)30RDS(ON):Max(Ω)0.02RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~3Gfs(min):(S)25Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)10封装TO-252概述：20N03/TO-
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产120N03场效应管120A-30V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 12:07 ]
〔壹芯〕生产120N03场效应管120A-30V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：120N03　　　　　　极性：NIDA(A)：120　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0038　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：48　Vgs(V)：10　Io(A)：40封装：TO-220 TO-252VVMOSFET的科普知识根据结构形式的不同，VMOSFET分为VVMOSFET和VDMOSFET两种基本类型。VVMOSFET结
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产20N03场效应管20A-30V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-07 18:48 ]
〔壹芯〕生产20N03场效应管20A-30V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：20N03　　　　　　　极性：NIDA(A)：20　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.02　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：25　Vgs(V)：10　Io(A)：10封装：TO-252电力场效应晶体管的基本结构和工作原理为了说明MOSFET的结构特点与工作原理，首先要说明场效应器件的基本结构。由于输出电流是由栅极通过金属氧化膜半导体系统
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