〔壹芯〕生产20N03场效应管20A-30V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:20N03 极性:N
IDA(A):20 VDSS(V):30
RDS(on) MAX(Ω):0.02 VGS(V):10
VGS(th) (V):1~3
Gfs(min) (S):25 Vgs(V):10 Io(A):10
封装:TO-252
电力场效应晶体管的基本结构和工作原理
为了说明MOSFET的结构特点与工作原理,首先要说明场效应器件的基本结构。由于输出电流是由栅极通过金属氧化膜半导体系统进行控制的,所以这种结构称为MOS结构。在MOSFET中只有一种载流子(N沟道时是电子,P沟道时是空穴)从源极S出发经漏极D流出。图1.2示出了MOSFET的模拟结构,在栅-源极电压Uis=0时,漏极与源极间的PN结状态与普通二极管一样,为反向偏置状态,此时即使在漏-源极之间施加电压,也不会造成P区内载流子的移动,即器件保持关断状态。我们把这种正常关断型的MOSFET成为增强型。
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