〔壹芯〕生产120N03场效应管120A-30V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：120N03　　　　　　极性：N

IDA(A)：120　　　　　　　VDSS(V)：30

RDS(on)　MAX(Ω)：0.0038　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：1~3

Gfs(min)　(S)：48　Vgs(V)：10　Io(A)：40

封装：TO-220 TO-252

VVMOSFET的科普知识

根据结构形式的不同，VMOSFET分为VVMOSFET和VDMOSFET两种基本类型。

VVMOSFET结构形式是美国雷达半导体公司在1975年首先提出的，其结构如图1.4所示，它是在N⁺型高掺杂浓度的硅片垫底上外延生长N_-型漂移区，在N高阻漂移区内选择地扩散出P型沟道体区，再在P型沟道体区内选择地扩散N⁺源区。

利用各向异性腐蚀技术刻蚀出V形槽，槽底贯穿过P型体区。在V形槽的槽壁处形成金属-氧化膜-半导体系统。N⁺型和N^-型区共同组成器件的漏区，漏区与体区的交界面是漏区PN结。体区与源区的交界面是源区PN结。由于源区和体区总是被短路在一起由源极引线引出，因此源区PN结处于零偏置状态，而漏区PN结处于反向偏置状态。

当栅极上加以适当的电压时，由于表面电场效应，就会在P型体区靠近V形槽壁的表面附近形成N型反型层，成为沟通源区和漏区的导电沟道。这样电流从N⁺区源极出发，经过沟道流到N^-漂移区，然后垂直地流到漏极，首次改变了MOSFET电流沿表面水平方向流动的传统概念，实现了垂直导电。

这一从横到纵、从水平到垂直的改变是MOS功率器件的重大突破。这一突破，为解决大电流技术难题奠定了基础。从结构上说，由于漏极是装在硅片衬底上的，因此不仅充分利用了硅片面积，而且实现了垂直传导电流，可以获得大的电流容量。

在器件中间设置的N^-型高阻漂移区，不仅提高了耐压，还减少了栅电容。双重扩散技术精确地控制了短沟道，从而使沟道电阻值降低，使VVMOS-FET的工作频率和开关速度大为提高。在芯片背面安装漏极可以做到高度集成化，但是V形槽沟道的底部容易引起电场集中，故继续提高耐压能力有困难，为此又将槽底改为平的，这种结构则称为V形槽MOSFET。

<壹芯微科技>专注二三极管领域研发制造，针对二三极管作出了良好的性能测试，产品广泛应用于电源、LED照明、光伏、仪表仪器、数码产品、各种小家电等领域。如果您遇到需要帮助解决的问题，可以点击页面右侧咨询工程师、或销售经理为您提供精准的产品报价与介绍。