〔壹芯〕生产IRF840场效应管9A-500V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：IRF840　　　　　　　极性：N

IDA(A)：9　　　　　　　VDSS(V)：500

RDS(on)　MAX(Ω)：0.8　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：2.5　Vgs(V)：20　Io(A)：5

封装：TO-220

知识科普

电力场效应晶体管的基本特性之阻性负载开关特性

实际上，随负载为电阻和电感的不同，开关过程根本不相同。下面按阻性负载的详细分析如下。

1）阻性负载的开关特性

（1）开通过程

MOSFET在t0时驱动[图1.12（c)]，输入电容Cin通过驱动电路的内阻Rs充电，栅-源极电压开始上升。与驱动电路的内阻Rs相比，栅极电阻RG的影响可以忽略。在t1时刻达到开启电压，MOSFET开始导通，栅-源极电压随着负载电阻上压降的上升而下降。

漏极电流在t1~t2区间内是增加的。此时密勒电容较小，它因漏-源极电压的变化而放电，由传输特性曲线可见漏-源极电压的增加。

在t2时，漏-源极电压uDS变得与栅-源极电压uGS相等，密勒电容的影响变得显著。在t2~t3区间，MOSFET的作用像一个密勒积分器。也就是说，在栅-源极电压保持恒定时，栅极充电电流流过密勒电容，这样导致了漏-源极电压进一步下降。

在t3时刻，漏-源极电压达到了由输出特性曲线决定的线性区的末端。

在t3~t4区间，输入电容Cin被充电直到等于所加的驱动电压，而且沟道电阻进一步下降。在t4时，MOSFET的通态电阻RDS(on)（漏-源极电压与漏极电流的比值）达到最大值。

（2）关断过程

从t5时刻始，由于漏-源极通态电压很小，驱动电压开始降低，关断过程开始。输入电容Cin上电压已达到用户加到栅-源极间驱动电压的最大值，并且通过驱动电路的内阻Rs放电。栅-源极电压稍稍降低，在此电压下漏极电流仍能流过电阻区。在t6时刻，通态电阻只有微微地上升。

在t6~t7区间，MOSFET再次表现出一个密勒积分器的作用。当栅-源极电压恒定时，栅极驱动电流仍然流过该等效密勒电容，促使漏-源极电压上升。

在t7时刻，栅-源极电压与漏-源极电压相等，密勒电容减小。在t7~t8区间，密勒电容充电，漏-源极电压急剧升高，漏-源电流减小，以响应负载电阻上压降的变化，栅-源极电压也减小到某个低值。

在t8时刻，栅-源极电压达到阈值电压，MOSFET完全关断。在最后的t8~t9区间，输入电容放电直至与驱动电压相等。

因为在MOSFET工作中不涉及存储时间，所以开关时间只由输入电容的充、放电过程决定。如果驱动电路的内阻Ri可以自由选择，则MOSFET的开关时间可在较宽范围内调节。

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