〔壹芯〕生产IRF3710场效应管57A-100V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：IRF3710　　　　　　　极性：N

IDA(A)：57　　　　　　　VDSS(V)：100

RDS(on)　MAX(Ω)：0.018　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：-1.5~-3

Gfs(min)　(S)：5.3　Vgs(V)：20　Io(A)：11

封装：TO-220

知识科普

电力场效应晶体管的基本特性之感性负载开关特性

实际上，随负载为电阻和电感的不同，开关过程根本不相同。下面按感性负载的详细分析如下。

电流流过感性负载和续流二极管时的开关特性如图1.13所示，其详细开关过程的分析如下。

（1）开通过程

用方波信号驱动MOSFET的电路原理如图1.13（a）所示，在t₀时，随着MOSFET的栅-源极分布电容即输入电容C_in通过驱动电路内阻充电，栅-源极电压上升，在t1时刻达到阈值电压。在t₁~t₂区间，漏极电流与栅-源极电压成正比地上升，同时漏-源极电压保持在工作电压量级。在t₂时刻，电力MOSFET吸收了全部的负载电流。

在随后的t₂~t₃区间，由于二极管的反向恢复电流加到负载电流中，漏极电流进一步上升。在二极管反向恢复电流极性转变点，漏极电流最大。直到此时，漏-源极电压仍然与工作电压相等。漏-源极电压升高到允许电力MOSFET产生的峰值电流流过时的数值。

在t₃~t₄区间，漏-源极电压下降，二极管的反向电压以同样的数量上升。漏-源极电压下降的速度与密勒电容通过栅极驱动电压放电的速度相同。在这个区间，栅-源极电压应保持恒定，就像在随后的t₄~t₅区间一样。

然而在t₃~t₄区间，开关过程进一步受到因二极管反向恢复电流引起的漏极电流变化的影响。当栅极电流变小时，栅-源电容通过密勒电容放电。栅-源电压降低到足以使漏极电流流过，因此在这个区间观察到了漏-源极电压波形的突变。

在t₃~t₅区间，当漏-源极电压变化时必须特别注意。当电力MOSFET用一个低阻抗电源驱动时，漏极电流上升的速率和续流二极管中换向电流的变化率很高，二极管的反向恢复电流达到较高值。一旦其达到最高值后，将开始急剧下降。

二极管反向恢复电流的这种急剧变化会导致超过器件额定的击穿电压。

（2）关断过程

在t8时刻关断过程开始。在t₉时刻，栅-源极电压减小到使漏极电流仍然可流过电阻区的程度。在t₉~t₁₀区间，MOSFET的作用像一个具有大电容量密勒电容的密勒积分器。如果漏-源极电压超过了栅-源极电压，则MOSFET在t₁₀~t₁₁区间的作用像一个具有小电容量密勒电容的密勒积分器。在t₁₁时，续流二极管导通，以便使漏-源极电压保持恒定。漏极电流与栅-源极电压成正比地下降，在t₁₂时刻，栅-源极电压降到关断阀值电压，漏极电流减小到0。在t₁₂~t₁₃区间，输入电容完全放去电荷。

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