〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：IRF740　　　　　　　极性：N

IDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：400

RDS(on)　MAX(Ω)：0.55　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：5.8　Vgs(V)：20　Io(A)：6

封装：TO-220

知识科普

电力场效应晶体管的基本特性之开关特性

电力MOSFET开关特性的测试电路如图1.12(a)所示，开关特性如图1.12(b)所示。其中u_p为矩形脉冲电压信号源，R_s为信号源内阻，R_G为栅极电阻，R_L为漏极负载电阻，R_F用于检测漏极电流。

因为MOSFET存在输入电容C_in，所以当脉冲电压up的前沿到来时，Cin有充电过程，栅极电压u_GS呈指数曲线上升，如图1.12(b)所示。当u_GS上升到开启电压U_T时，开始出现漏极电流i_D。

从up前沿时刻到u_GS=U_T并开始出现i_D的时刻，这段时间称为开通延迟时间t_d(on)。此后，i_D随u_GS的上升而上升。u_GS从开启电压上升到MOSFET进入非饱和区的栅-源极电压U_GS(th)这段时间称为上升时间t_r，这时相当于电力场效应晶体管的临界饱和，漏极电流in也达到稳态值。in的稳态值由漏-源极电源电压Ups和漏极负载电阻所决定，U_GS(th)的大小和i_D的稳定值有关。

当u_GS的值达到U_GS(th)，在脉冲信号源up的作用下继续升高直至达到稳态，但i_D已不再变化，相当于电力MOSFET处于深度饱和。

当脉冲电压u_p下降到0时，栅-源极输入电容C_in通过信号源内阻R_s和栅极电阻R_G(>>R_s)开始放电，栅-源极电压u_Gs按指数曲线下降，当下降到U_GS(th)时，漏极电流i_D才开始减小，这段时间称为关断延迟时间t_d(off)。此后，C_in继续放电，u_GS从U_GS(th)继续下降，i_D减小，到u_GS<U_T时沟道夹断，i_D下降为0。

以上为电阻负载条件下，MOSFET开关特性的粗略分析。实际上，随负载为电阻和电感的不同，开关过程根本不相同。

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