「SI2300,SI2301,SI2302」场效应管与mos管两者的区别-壹芯微
产品供应信息
型号:SI2300,SI2301,SI2302(场效应MOSFET)
品牌:壹芯微|类型:场效应管封装:SOT-23|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询
参数\型号 | SI2300 | SI2301 | SI2302 |
极性 | N | P | N |
ID(A) | 3.8 | -2.4 | 2.5 |
VDSS(V) | 20 | -20 | 20 |
RDS(ON):Max(Ω) | 0.04 | 0.1 | 0.06 |
RDS(ON):VGS(Ω) | 4.5 | -4.5 | 4.5 |
VGS(th):(V) | 0.6~1.5 | -0.4~-1 | 0.65~1.2 |
Gfs(min):(S) | 13 | 4 | 8 |
Gfs(min):Vgs(V) | 15 | -5 | 5 |
Gfs(min):Io(A) | 2.9 | -2.4 | 2.5 |
封装 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
硬件型号:场效应管CSD18542KTT
系统版本:集成电路系统
一、主体不同
1. 场效应:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
2. MOS管:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
二、特性不同
1. 场效应:不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
2. MOS管:主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。
三、原理规则不同
1. 场效应:将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
2. MOS管:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。
mos管一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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