「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS 做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。
下面先了解MOS管的开通 / 关断原理,请看下图:
NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),下面以导通压差6V为例。
NMOS管
使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的,只是控制电路复杂,这种情况必须使用隔离电源控制,使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干,明显增加电路难度。
PMOS 管
使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。
产品供应信息
型号:AO3415(场效应MOS管)
品牌:壹芯微|类型:场效应MOS管封装:SOT-23|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询
参数\型号 | AO3415 | ||
极性 | P | ||
ID(A) | -4 | ||
VDSS(V) | -20 | ||
RDS(ON):Max(Ω) | 0.043 | ||
RDS(ON):VGS(Ω) | -4.5 | ||
VGS(th):(V) | -0.3~-1 | ||
Gfs(min):(S) | 8 | ||
Gfs(min):Vgs(V) | -5 | ||
Gfs(min):Io(A) | -4 | ||
封装 | SOT-23 |
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