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DMJ7N70SK3 - Power MOSFET(功率MOS场效应管)

7A,700V N沟道增强型场效应管

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DMJ7N70SK3规格书(PDF):查看下载

DMJ7N70SK3的概述：

这种新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON))并保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

DMJ7N70SK3的特性：

生产中的 100% 未钳位电感开关 (UIS) 测试 ? 低栅极输入电阻

低输入电容

无铅表面处理；符合RoHS（注1和2）

不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）

DMJ7N70SK3的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流(注5),V_GS=10V

TC=+25°CTC=+25°C,I_D：3.9A

TC=+100°CTC=+100°C,I_D：2.5A

MaximumBodyDiodeForwardCurrent最大体二极管正向电流(注5),I_S：3.0A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(10µs脉冲,占空比=1%),I_DM：8.0A

AvalancheCurrent雪崩电流(注6),I_AR：1.5A

AvalancheEnergy雪崩能量(注6),E_AR：67mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复,dv/dt：11.8V/ns

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