6N40L-TN3-G场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

型号：6N40L-TN3-G 极性：N沟道；电压：400V 电流：6A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

6N40L-TN3-G参数中文资料,6N40L-TN3-G封装管脚引脚图,6N40L-TN3-G规格书:查看下载

6N40L-TN3-G的概述：

6N40是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用完美平面条纹DMOS技术，可为客户提供卓越的开关性能和最小的导通电阻。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。6N40通常用于应用，例如基于半桥拓扑的电子灯镇流器和高效开关模式电源。

6N40L-TN3-G的特性：

* RDS(ON)=1.0Ω @ VGS=10V

* 快速切换速度

* 改进的 dv/dt 功能

6N40L-TN3-G的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：400V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩电流(注 2), IAR：6A

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID：6(注5)A

DrainCurrentPulsed脉冲漏极电流(注 2), IDM：24(注5)A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：330mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2),EAR：8.5mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：73W

PowerDissipation功耗,TO-220F,PD：38W

PowerDissipation功耗,TO-252,PD：62.5W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

3.L=19mH，IAS=5.5A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤6A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

5.漏极电流受最大结温限制

壹芯微6N40L-TN3-G规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。