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1N65AL-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-28 浏览:-

1N65AL-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微

1N65AL-TN3-R

型号:1N65AL-TN3-R 极性:N沟道;电压:650V 电流:1A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

1N65AL-TN3-R参数中文资料,1N65AL-TN3-R封装管脚引脚图,1N65AL-TN3-R规格书:查看下载

1N65AL-TN3-R

1N65AL-TN3-R的概述:

壹芯1N65A是一款高压功率MOSFET,旨在具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC 到 DC 转换器和桥式电路的高速开关应用。

1N65AL-TN3-R的特性:

RDS(ON)<15.5Ω@VGS=10V,ID=0.5A

超低栅极电荷(典型值 8.0nC)

低反向传输电容(CRSS=3.0pF(最大值))

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,高耐用性

1N65AG-TN3-R

1N65AG-TN3-R绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650 V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30 V

ContinuousDrainCurrent连续漏极电流,ID:0.5 A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(注2),IDM:2 A

AvalancheEnergySinglePulse雪崩能量单脉冲(注3),EAS:50 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt:4.5 V/ns

PowerDissipation功耗(TC=25°C),SOT-223,PD:8.9 W

PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-251/TO-252,PD:27.6 W

PowerDissipation功耗(TC=25°C),TO-92,PD:1.42 W

DerateAbove25°C25°C以上降额,SOT-223,PD:0.07 mW/°C

DerateAbove25°C25°C以上降额,TO-251/TO-252,PD:0.22 mW/°C

DerateAbove25°C25°C以上降额,TO-92,PD:0.22 mW/°C

JunctionTemperature结温,TJ:+150 °C

OperatingTemperature工作温度,TOPR:-55~+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG:-55~+150°C

注意: 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级:脉冲宽度受最大结温限制

3. L=92mH, IAS=0.8A, VDD=50V, RG=0Ω, 起始TJ=25°C

4. ISD≤1.0A,di/dt≤100A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

1N65AG-TN3-R

壹芯微1N65AG-TN3-R规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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