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2N65KG-TN3-R场效应管,2N65KG-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-17 浏览:-

2N65KG-TN3-R场效应管,2N65KG-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

    型号        极性        电压        电流        封装    
2N65KG-TN3-RN沟道650V
2ATO-252

T2N65KG-TN3-R的概述:

2N65K 是高压功率 MOSFET,是旨在具有更好的特性,例如快速切换时间、低栅极电荷、低导通电阻和高崎岖的雪崩特性。 这种功率 MOSFET 通常是用于电源中的高速开关应用,PWM 电机控制、高效 DC 到 DC 转换器和桥接电路。

2N65K is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

2N65KG-TN3-R

T2N65KG-TN3-R的特性:

RDS(ON) < 6.0Ω @ VGS=10V, ID1A

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的 dv/dt 能力,高耐用性

RDS(ON) < 6.0? @ VGS=10V, ID1A

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

T2N65KG-TN3-R的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:

T2N65KG-TN3-R的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明

T2N65KG-TN3-R的引脚说明:

T2N65KG-TN3-R的引脚说明:

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