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2N65LG-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-17 浏览:-

2N65LG-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

    型号        极性        电压        电流        封装    
2N65LG-TN3-RN沟道650V
2ATO-252

2N65LG-TN3-R的概述:

2N65L是一款高压功率MOSFET,其设计具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高度坚固的雪崩特性。 这种功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路的高速开关应用。

The 2N65L is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching applicati ons of power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

2N65LG-TN3-R

2N65LG-TN3-R的特性:

RDS(ON)=5.0Ω@VGS=10V

超低栅极电荷(典型值为9.0nC)

低反向传输电容(CRSS=典型值5.0 pF)

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,高耐用性

RDS(ON)=5.0?@VGS=10V

Ultra Low gate charge (typical 9.0nC)

Low reverse transfer capacitance (CRSS=typical 5.0 pF)

Fast switching capability

Avalanche energy specified

Improved dv/dt capability, high ruggedness

T2N65KG-TN3-R的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明:

T2N65KG-TN3-R的绝对最大额定值TC = 25°C,除非另有说明

注意: 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级:脉冲宽度受 TJ 限制

3. L=64mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始 TJ = 25°C

4. ISD≤2.4A,di/dt≤200A/μs,VDD ≤ BVDSS,起始TJ = 25°C

Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. Repetitive Rating : Pulse width limited by TJ

3. L=64mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 ?, Starting TJ = 25°C

4. ISD≤2.4A, di/dt≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, Starting TJ = 25°C 

T2N65KG-TN3-R的引脚说明:

文章配图 (3).jpg

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