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[常见问题解答]基于非对称瞬态抑制技术的SiC MOSFET门极保护全新解决方案[ 2025-04-12 11:34 ]
在功率电子设计领域,随着SiC MOSFET器件的快速普及,如何有效保障其门极的安全,已成为工程师们关注的重点问题。尤其在高压、大功率及高频应用场景下,门极易受到电源瞬态、电磁干扰及负载切换等因素的威胁。针对这一痛点,近年来非对称瞬态抑制(TVS)技术的出现,为SiC MOSFET门极的可靠保护提供了全新的解决思路。一、为何SiC MOSFET门极需要特殊保护?SiC MOSFET相比传统硅器件,具备开关速度更快、耐压能力更高、导通损耗更低等优势,但这也带来了门极易受干扰的设计挑战。特别是在实际应用中,门极信号线往
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