搜索资讯

[常见问题解答]静态特性对比分析：Si与SiC MOSFET在参数表现上的差异[ 2025-04-19 11:35 ]

在当今高性能电力电子领域，MOSFET被广泛应用于开关电源、电机控制和功率变换系统中。随着对高效率、高电压能力的需求不断增长，基于碳化硅材料（SiC）的MOSFET逐步进入工业和商用市场，成为传统硅基MOSFET（Si MOSFET）的有力替代者。1. 开启阈值电压 Vth 的比较在栅极驱动控制方面，MOSFET的开启阈值电压起着至关重要的作用。通常，Si MOSFET的Vth范围集中在2V到4V之间，而SiC MOSFET则略高，普遍在3V到5V之间。这意味着SiC器件在驱动电路设计上更倾向于使用高压栅极驱动信号

http://www.szyxwkj.com/Article/jttxdbfxsi_1.html

[常见问题解答]新能源汽车OBC用SiC MOS驱动模块设计思路与供电方案全流程剖析[ 2025-04-17 14:45 ]

OBC(车载充电机)在新能源汽车的电气系统中，是连接电网与动力电池的关键部件，负责交流转直流、充电管理和电能转换。随着 SiC MOSFET 在高压高速开关领域得到广泛应用，其在 OBC DC/DC 转换阶段的应用也越来越普遍。实现整体性能优化的关键是高效设计驱动模块及其供电系统。一、驱动模块的设计思路解析1. 选择合适的驱动电压范围SiC MOSFET一般工作于较高的栅压要求，典型驱动电压为+18V/-5V或+20V/-5V。在设计驱动模块时，需要优先确保驱动芯片具备双向电压能力，避免开关迟滞或关断不彻底的问题。

http://www.szyxwkj.com/Article/xnyqcobcys_1.html

[常见问题解答]高压SiC MOSFET栅氧老化行为研究及加速测试方法探索[ 2025-04-16 14:55 ]

在高电压、高温、高频的电力电子应用中，碳化硅MOSFET因其出色的材料特性逐渐取代传统硅基器件，成为高压领域的核心选择。然而，器件的长期可靠性依然是制约其大规模应用的关键因素，特别是栅极氧化层的老化行为及其导致的性能退化问题，已成为研究和工业界共同关注的技术焦点。一、SiC MOSFET栅氧老化机制概述相较于硅器件，SiC MOSFET采用热氧化工艺形成的栅极氧化层存在较多界面缺陷，源于碳原子在氧化过程中的难以完全去除。这些残留的碳相关缺陷在高场高温条件下会加速电子捕获，导致阈值电压漂移、栅漏电流上升，严重时甚至引

http://www.szyxwkj.com/Article/gysicmosfe_1.html

[常见问题解答]基于非对称瞬态抑制技术的SiC MOSFET门极保护全新解决方案[ 2025-04-12 11:34 ]

在功率电子设计领域，随着SiC MOSFET器件的快速普及，如何有效保障其门极的安全，已成为工程师们关注的重点问题。尤其在高压、大功率及高频应用场景下，门极易受到电源瞬态、电磁干扰及负载切换等因素的威胁。针对这一痛点，近年来非对称瞬态抑制（TVS）技术的出现，为SiC MOSFET门极的可靠保护提供了全新的解决思路。一、为何SiC MOSFET门极需要特殊保护？SiC MOSFET相比传统硅器件，具备开关速度更快、耐压能力更高、导通损耗更低等优势，但这也带来了门极易受干扰的设计挑战。特别是在实际应用中，门极信号线往

http://www.szyxwkj.com/Article/jyfdcstyzj_1.html

[常见问题解答]SiC MOSFET动态响应性能分析与优化[ 2025-04-10 11:51 ]

随着电力电子技术的迅猛发展，SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，因其高效能、高温稳定性以及较低的导通电阻，逐渐成为高频、高温及高功率密度应用中的首选元件。然而，SiC MOSFET的动态响应性能，特别是在高频开关操作下的表现，对于其在实际应用中的优劣具有至关重要的影响。因此，分析与优化SiC MOSFET的动态响应性能成为了提升其整体性能和应用潜力的关键。一、SiC MOSFET动态响应性能概述SiC MOSFET的动态响应性能主要指其在开关操作过程中，特别是在频繁的开通和关断过程中，表现出的电流、电

http://www.szyxwkj.com/Article/sicmosfetdtxyxnfxyyh_1.html

[常见问题解答]3千瓦LLC拓扑中SiC MOSFET的集成优化路径[ 2025-04-07 12:10 ]

在高效电源系统快速发展的背景下，LLC谐振变换器凭借其高效率和低电磁干扰特性，逐渐成为中高功率密度应用的首选拓扑之一。而在实现高频率、高效率运行的过程中，碳化硅（SiC）MOSFET的集成应用正成为性能突破的关键路径之一。一、SiC MOSFET在3kW LLC中的技术适配性LLC拓扑本身以其软开关特性（ZVS或ZCS）有效降低开关损耗，适合高频操作。将SiC MOSFET引入该拓扑后，其具备的低导通电阻、高击穿电压和极低的反向恢复电荷特性，使其更适用于200kHz~500kHz以上的工作频率区间。相比传统硅基MO

http://www.szyxwkj.com/Article/3qwllctpzs_1.html

[常见问题解答]SiC MOSFET栅极氧化层老化机制与评估方法解析[ 2025-04-07 11:17 ]

随着碳化硅（SiC）器件在高压、高温和高频电力转换领域的逐步普及，其可靠性研究成为保障系统稳定运行的重要环节。作为SiC MOSFET核心结构之一的栅极氧化层，其老化机制直接影响整个器件的电气性能与寿命预期。因此，深入理解其老化过程，并构建科学合理的评估体系，对实现器件可靠性管理具有重要价值。一、栅极氧化层的老化机制剖析SiC MOSFET通常采用热氧化方式形成的二氧化硅（SiO?）作为栅氧材料。相比硅MOSFET，SiC器件在高电场与高温环境下工作更为频繁，因此其栅氧层在长期应力作用下易出现退化现象。栅氧层老化主

http://www.szyxwkj.com/Article/sicmosfetz_1.html

[常见问题解答]SiC MOSFET与肖特基二极管的协同作用，优化电力转换效率[ 2025-04-01 14:17 ]

随着对能源效率要求的日益提高，碳化硅（SiC）材料在电力电子领域的应用变得越来越广泛。特别是在电力转换系统中，SiC MOSFET和肖特基二极管的结合，已成为提升效率、减少损失和提高可靠性的关键技术手段。一、SiC MOSFET的特点及优势碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）是一种先进的功率半导体器件，因其具备优异的高击穿电压、低导通电阻和出色的热管理能力，广泛应用于高压和高频率的电力转换系统。SiC材料的高禁带宽度使其在高温和高压条件下保持良好的性能，特别适用于电动汽车驱动系统和太阳能逆变器等对环境要求严格

http://www.szyxwkj.com/Article/sicmosfety_1.html

[常见问题解答]碳化硅MOSFET的核心结构解析与应用场景[ 2025-03-13 14:34 ]

碳化硅（SiC）MOSFET是一种基于SiC材料的场效应晶体管，属于宽禁带半导体器件。其独特的物理特性使其具备高耐压、低损耗、高频运行以及出色的耐高温能力，已在电力电子领域得到广泛应用。相较于传统硅（Si）MOSFET，SiC MOSFET在能量转换效率、功率密度和散热性能方面表现更优，特别适用于高功率、高温和高速开关场景。一、SiC MOSFET的核心结构解析SiC MOSFET的结构与传统硅MOSFET在基本设计上相似，但由于SiC材料特性的不同，其结构设计和制造工艺有所优化，以更好地发挥碳化硅的优势。1. 材

http://www.szyxwkj.com/Article/thgmosfetd_1.html

[常见问题解答]SiC MOSFET如何提升电力电子设备性能与可靠性[ 2025-01-15 11:46 ]

SiC MOSFET凭借其独特的材料特性和优异性能，在电力电子领域逐渐成为主流器件之一。与传统硅MOSFET相比，SiC MOSFET在许多方面更高效、更可靠。这些设备广泛应用于电动汽车、工业电源、太阳能逆变器等领域。一、提升SiC MOSFET性能的核心要素1. 高热导率及高温稳定性SiC材料的热导率显著高于硅材料，散热效率更高，从而有效降低器件的温升。同时，SiC MOSFET具备更宽的工作温度范围，通常可在175°C以上的高温下稳定运行，而传统硅MOSFET的工作温度上限通常为150°C。此特

http://www.szyxwkj.com/Article/sicmosfetr_1.html

[常见问题解答]碳化硅MOSFET栅极氧化层缺陷检测的最新进展与挑战[ 2024-12-14 12:18 ]

随着电力电子和高频通信技术的不断发展，碳化硅（SiC）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借其优异的高温特性，成为功率半导体领域的重要材料，尤其是在高功率和高频性能方面。然而，SiC MOSFET的性能并非完全没有误差，特别是在栅极氧化物（gate Oxide）这一关键结构上。因此，对这些缺陷的有效检测和表征已成为SiC MOSFET研究和应用中的重要课题。栅氧化层的质量直接关系到器件的击穿电压、开关速度和长期稳定性，界面缺陷或材料缺失会导致漏电流增大、阈值电压漂移和器件失效，进而影响整个电路

http://www.szyxwkj.com/Article/thgmosfetz_1.html

[常见问题解答]SiC器件开关性能受系统寄生参数影响的深入探讨[ 2024-09-04 14:36 ]

随着碳化硅（SiC）技术的不断成熟和推广，其在高压电力电子设备中的应用日益增加。SiC器件因其能在高温、高压和高频率条件下工作而受到青睐。然而，系统内部的寄生参数，如寄生电容和寄生电感，对SiC器件的开关性能有着显著影响。本文通过详细分析，探讨这些系统寄生参数是如何影响SiC器件的性能，尤其是在开关操作中的具体表现。一、寄生电感的影响在电力电子转换系统中，寄生电感主要来源于电连接和布线。在SiC MOSFETs和二极管开关时，寄生电感可以引起显著的电压超调，从而对器件造成额外的电压应力。当开关器件尝试快速切换时，这

http://www.szyxwkj.com/Article/sicqjkgxns_1.html

[常见问题解答]如何利用碳化硅MOSFET提高光伏逆变器与充电桩的系统性能[ 2024-08-05 11:50 ]

碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的物理特性，在电力转换技术中展示了巨大的应用潜力，特别是在光伏逆变器和电动汽车充电设施的性能优化上。这种材料不仅能够承受更高的电压和温度，还能在较高频率下运行，从而大幅提升系统的效率和稳定性。本文将详细探讨利用碳化硅MOSFET优化这些关键设备性能的方法。1. 光伏逆变器的性能提升光伏逆变器的主要功能是将太阳能板产生的直流电转换为可用的交流电。采用SiC MOSFET的逆变器可以极大地提高转换效率和减少能量损耗。与传统硅基MOSFET相比，SiC MOSFET拥有更低的开关损耗和

http://www.szyxwkj.com/Article/rhlythgmos_1.html

[常见问题解答]深入探讨：碳化硅在先进电子设备中的关键作用[ 2024-07-30 12:11 ]

1. 碳化硅MOSFET的驱动门极电压与导通电阻之谜研究表明，SiC MOSFET的漂移层阻抗远低于Si MOSFET，但其沟道迁移率较低，导致阻抗略高。因此，提升门极电压有助于降低导通电阻。使用Vgs=18V的驱动电压，可以最大化其低导通电阻的性能，推荐负压设置为约-3。此外，市场上已有Vgs=15V和预计将推出Vgs=12V的碳化硅MOSFET，旨在与硅基器件的驱动电压统一。2. SiC器件与传统硅器件的对比SiC器件的绝缘击穿场强是Si的10倍，允许使用更薄的漂移层来实现高耐压。因此，在相同耐压下，SiC的标

http://www.szyxwkj.com/Article/srttthgzxj_1.html

[常见问题解答]优化策略：提升基于变压器的 SiC MOSFET 隔离栅极驱动器效率[ 2024-05-24 10:15 ]

本文探讨了一种用于 3.3kV SiC MOSFET 的新型隔离栅极驱动器设计，采用变压器进行高效驱动。其中，两个 VHF 调制谐振反激式转换器工作在 20 MHz，用于生成 PWM 信号和提供栅极驱动电力。一、高压绝缘特性通过一种设计优化的 PCB 空心变压器提供高达 15 kV RMS 的高压绝缘特性。这种变压器的低耦合电容（5pF）确保即使在 SiC MOSFET 高 dv/dt 的条件下也具有出色的抗噪声性能。文中还将展示一系列关于 3.3kV SiC MOSFET 的实验结果，以证明本设计方案的有效性。二

http://www.szyxwkj.com/Article/yhcltsjyby_1.html

[常见问题解答]SiC MOSFET的结构和特性介绍[ 2023-08-21 16:47 ]

SiC MOSFET的结构和特性介绍SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JFET效应，从而增加通态电阻；同时，这种结构的寄生电容也较大。图1：平面SiC MOSFET的结构沟槽SiC MOSFET的结构，如图2所示。这种结构将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，由于要开沟槽，工艺变

http://www.szyxwkj.com/Article/sicmosfetd_1.html

[常见问题解答]Gate-Source间电压的动作介绍[ 2023-05-20 14:25 ]

Gate-Source间电压的动作介绍低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的极性产生公式（1）的电动势。公式（1）与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电，因此在LS会将VGS向下推，在HS会将VGS向负极侧拉，使之产生负浪涌（波形示意图VGS的T1）。当ID的变化结束时，LS的VDS的电

http://www.szyxwkj.com/Article/gatesource_1.html

[行业资讯]正电压浪涌对策和其效果介绍[ 2023-05-19 17:33 ]

正电压浪涌对策和其效果介绍正电压浪涌对策下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所总结的，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法（参见下面的验证电路）。为了验证抑制电路的效果，将抑制电路单独安装在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驱动电路上并观察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外观和主要规格，仅供参考。以下电路为用来验证的抑制

http://www.szyxwkj.com/Article/zdylydchqx_1.html

[常见问题解答]SiC功率元器件中产生的浪涌怎么应对介绍[ 2023-05-18 18:03 ]

SiC功率元器件中产生的浪涌怎么应对介绍浪涌抑制电路SiC功率元器件中栅极-源极电压（VGS）的正浪涌在开关侧和非开关侧均有发生，但是尤其会造成问题的是在LS（低边）导通时的非开关侧（HS：高边）的事件（II）。右侧的波形图与上一篇中给出的波形图相同。其原因是开关侧已经处于导通状态，因此，当非开关侧的正浪涌电压超过SiC MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th)）时，HS和LS会同时导通并流过直通电流。只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级以上，因此不会立即流过过大的直通电流。所

http://www.szyxwkj.com/Article/sicglyqjzc_1.html

[常见问题解答]栅极-源极电压产生的浪涌介绍[ 2023-05-18 17:55 ]

栅极-源极电压产生的浪涌介绍MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已经无法忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。在本文中，将对相应的对策进行探讨。什么是栅极－源极电压产生的浪涌？右侧的电路图是在桥式结构中使用Si

http://www.szyxwkj.com/Article/zjyjdycsdl_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

相关搜索/Related search

壹芯微资讯中心

导 航/Navigation

地 址/Address

导航/Navigation

地址/Address