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[常见问题解答]基于PMOS的电源防倒灌与反接保护电路设计[ 2025-03-13 15:06 ]

在电子电路设计中，电源保护是一个至关重要的环节，尤其是在防止电源倒灌和电源反接的问题上，合理的设计可以有效防止电路损坏，提高系统的可靠性。PMOS（P沟道MOSFET）因其结构特点和易于控制的特性，被广泛用于高侧开关及电源保护电路中。一、电源倒灌和反接的风险在电源管理电路中，常见的两个问题是电源倒灌（Reverse Current）和电源反接（Reverse Polarity）。1. 电源倒灌：当电源输入端（VCC）断电，而负载端仍然带有电压（如电池或超级电容），可能导致电流从负载端反向流入电源端。这种情况不仅可能

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[技术文章]AO3415 典型应用电路[ 2024-04-27 14:53 ]

AO3415 是一种高效的P沟道MOSFET，其设计精良使其在众多电子设备中担任重要角色。以下是关于 AO3415 的应用场景和参数特点的进一步阐述：一、应用场景1. 移动设备：在智能手机和平板等移动设备中，AO3415 被广泛用于电源管理系统。其优异的导电性能有助于延长设备的电池续航能力，同时确保设备在低功耗模式下的高效运行。2. 便携式充电器： AO3415 在充电器设计中发挥关键作用，控制电流流向以优化充电效率和安全性，保障用户设备的稳定充电。3. LED照明系统： AO3415 能够有效控制LED灯具的电流

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[技术文章]AO3401A 典型应用电路[ 2024-04-24 16:40 ]

AO3401A 是一种常用的P沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护和DC-DC转换器等领域。这种器件以其高效率和低功耗而闻名，非常适用于需要增强电源效率和延长电池寿命的便携式电子设备。AO3401A 的参数特点包括低门极电压（Vgs），通常为-20V，以及较高的漏源电压（Vds），最高可达-30V。此外，AO3401A 的漏电流极低，通常在微安级别，使得它非常适合用于低功耗应用。此外，这款MOSFET具有较低的导通阻抗，提高了设备的整体效率。在实际应用中，AO3401A 通常用于便携式设备的电池

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[常见问题解答]MOS管场效应管漏极导通特性介绍[ 2023-11-29 18:36 ]

MOS场效应管一共几种类型MOS场效应管，即金属氧化物半导体场效应管，有以下几种常见的类型：1. N沟道MOSFET（N-Channel MOSFET）：这是一种以N型沟道为特征的MOSFET。在这种器件中，沟道区域由N型材料构成，通过正向偏置来控制电流。2. P沟道MOSFET（P-Channel MOSFET）：这是一种以P型沟道为特征的MOSFET。在这种器件中，沟道区域由P型材料构成，通过负向偏置来控制电流。3. 增强型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET）：增强型MOSFET需要在

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[常见问题解答]场效应管的源极作用解析[ 2023-10-09 18:33 ]

场效应管的源极作用解析MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）是一种常见的半导体器件，其中源极是MOSFET的一个重要引脚。MOSFET的源极通常用于输入信号和输出负载电流。在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，源极是控制栅极电场的参考点，它是连接到源极-漏极之间的电路，电流会从源极流入器件。通过改变栅极和源极之间的电压，可以控制源极和漏极之间的电流流动。总之，MOSFET的源极是器件的一个重要引脚，它承担着输入信号和输出负载电流的作用，在MOS

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[常见问题解答]电源敏感的电路中，电源IC如何选择介绍[ 2022-11-28 18:00 ]

在电路设计时，常用的电源器件无外乎两种，DC/DC和LDO。LDOLDO是一种低压差线性稳压器，或者叫低压降器件，说明它一般用于需要降压的场合，具有成本低，噪音低，静态电流小等优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流。另外，P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由于MOSFET的导通电阻很小，因而它上面的电压

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[行业资讯]TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装[ 2022-02-14 16:16 ]

TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装描述TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关，具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET，可在1.0至3.6V的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入(ON)控制，可直接与低压控制信号连接。TPS22901采用0.4mm间距、节省空间的4引脚DSBGA(YFP)封装。该设备的特点是可在-40至85°C的自由空气温度范围内运行。产品概述制造商德州仪器制造商产品编号TPS22901YFPR供应商德州仪器描述IC PWR 开关 P-C

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[行业资讯]TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装 - 壹芯微[ 2022-02-11 15:23 ]

TPS22901YFPR中文资料PDF与引脚图封装 - 壹芯微描述TPS22901YFPR是一款小型低导通电阻(rON)负载开关，具有可控导通功能。该器件包含一个P沟道MOSFET，可在1.0至3.6V的输入电压范围内工作。该开关由开/关输入(ON)控制，可直接与低压控制信号连接。TPS22901采用0.4mm间距、节省空间的4引脚DSBGA(YFP)封装。该设备的特点是可在-40至85°C的自由空气温度范围内运行。产品概述制造商德州仪器制造商产品编号TPS22901YFPR供应商德州仪器描述IC PWR

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产100N03场效应管100A-30V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 11:53 ]

〔壹芯〕生产100N03场效应管100A-30V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：100N03　　　　　　　极性：NIDA(A)：100　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0042　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：10　Io(A)：30封装：TO-220 TO-252图(l.3)N沟道和P沟道MOSFET的图形符号电力MOSFET研究的目的主要是解决MOS器件的大电流、高电压问题，以提高其功率

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[常见问题解答]场效应管放大电路图解[ 2021-04-17 09:29 ]

场效应管放大电路图解金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管N沟道增强型MOSFET栅源加电压，在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。漏源加电压，产生电压梯度，导致沟道夹断。预夹断的临界条件输出特性特性方程可变电阻区饱和区N沟道耗尽型MOSFET栅源加负电压，在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。输出特性P沟道MOSFET沟道长度调制效应理想情况下，MOSFET工作在饱和区时，漏极电流与漏源电压无关。而实际上，漏源电压对沟道长度L的调制作用，漏源电压增加时，漏极电流会有所增加。因此，输出特性公式需

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[常见问题解答]MOS管识别以及MOS管与IGBT管的辨别[ 2020-12-07 15:11 ]

MOS管识别以及MOS管与IGBT管的辨别MOSFET类型识别小结1）P沟道与N沟道的识别。MOS管识别，MOSFET在导通时，传输电流的层为P沟道的，则为P沟道MOSFET；传输电流的层为N沟道的，则为N沟道MOSFET。从原理图中看的话，可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。从代表符号上来识别的话，则是可以看中间短线上的箭头方向，向内则为N沟道，向外则为P沟道。（想象PN结的指向，P在箭尾，N在箭头，靠近短线的则表明其属性）2）耗尽型与增强型的识别。由于MOSFET的导电能力就是在导电沟道形成的时候

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[常见问题解答]用光耦合器驱动达林顿晶体管图解[ 2020-07-16 17:05 ]

用光耦合器驱动达林顿晶体管图解在本系列中，我已经说明了许多电路组合。在上面的示意图中，我将TIP120达林顿功率晶体管用于高端（Vcc）开关。这样做是因为很难在p沟道MOSFET上找到高电流，低电阻。我尝试使用的2个p沟道MOSFET IRF9540和IRF6930过热并且掉了很多电压。它们设计用于高压，低电流，高频开关。两者的抵抗力都很高。MOSFET的源极栅极电压（Vgs）低，通常限制为20伏。这意味着如果没有完整的电路返工，我将无法使用24伏，36伏或48伏电动机。注意：在此示例中，电机电压必须与12伏逻辑电

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[常见问题解答]CMOS-互补MOSFET工作原理和优势简介[ 2020-04-21 14:39 ]

CMOS-互补MOSFET工作原理和优势简介CMOS-互补金属氧化物半导体场效应晶体管简介互补金属氧化物半导体器件是其中P沟道和N沟道增强MOSFET以推挽式布置连接的芯片。CMOS的基本连接如图所示。N沟道和P沟道CMOS连接上图显示了各种CMOS连接，尤其是N沟道和P沟道CMOS连接。在该电路中，两个MOSFET（P沟道MOSFET和N沟道MOSFET）串联连接，使P沟道器件的源极连接到正电源+VDD，并连接N沟道器件的源极到地面。两个器件的栅极作为公共输入连接，两个器件的漏极端子作为公共输出连接在一起。当输入

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[常见问题解答]CMOS的栅极-双极型晶体管-P沟道MOSFET[ 2019-09-18 11:33 ]

图14.23(a)为- CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对PMOS器件而言，阈值电压VTn小于零，而对NMOS器件而言，阈值电压VTn大于零（通常阈值电压约为1/4VDD）．当输入电压Y1为接地或是小的正电压时，PMOS器件导通(PMOS栅极-地间的电势为-VDD，较vTp更小)，而NMOS为关闭状态．因而，输出电压Vo十分接近VDD。（逻辑1）．当输入为VDD时，PMOS(Vcs=0)为关闭状态，而NMOS为导通状态(Vi=VDD，>VTn)．所以

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[常见问题解答]MOS管-mosfet工作原理结构,特性详解[ 2019-01-15 17:48 ]

壹芯微作为国内专业生产MOS管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,MOS管-mosfet工作原理结构,特性详解,请看下方p沟道增强型mosfetP沟道mosfet介绍金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正

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