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[常见问题解答]MOSFET驱动电阻参数选择对开关性能的关键影响分析[ 2025-03-28 11:27 ]
在现代电力电子与高速开关电路设计中,MOSFET作为核心器件,其驱动方式直接影响整个系统的运行效率与稳定性。而在众多驱动参数中,驱动电阻的选型尤为关键,它在MOSFET开通与关断过程中的作用不可忽视。合理设定驱动电阻不仅影响开关速度和损耗,也关系到EMI、系统稳定性以及器件可靠性等多个方面。一、驱动电阻的作用机制MOSFET的栅极控制回路本质上可以看作是一个RC充放电电路。由于MOS管的栅极存在一定的输入电容(主要包括Cgs、Cgd等),在驱动器输出信号加载至栅极时,需要一定时间将电容充电至开启电压。同样,在关断时
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[常见问题解答]MOSFET知识-关于MOSFET驱动电阻的选择,详情解析[ 2020-11-16 16:10 ]
MOSFET知识-关于MOSFET驱动电阻的选择,详情解析关于MOSFET驱动电阻的选择等效驱动电路:L为PCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取1nF。VL+VRg+VCgs=12V根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。 分别考虑20m长m和70mm长的走线: L20=30nH,L70=80nH,
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