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[常见问题解答]互补MOSFET脉冲变压器驱动电路常见问题及优化对策[ 2025-04-11 12:23 ]

在开关电源、逆变器、功率变换器等电力电子领域，脉冲变压器被广泛应用于MOSFET的隔离驱动设计。特别是在互补MOSFET的驱动场景中，脉冲变压器不仅承担信号传输作用，同时还需要保证良好的驱动波形和高速响应。然而，实际电路设计中，脉冲变压器驱动互补MOSFET时，常常会遇到一些典型问题，影响电路的稳定性和可靠性。一、常见问题分析1. 脉冲变压器漏感过大脉冲变压器绕制不合理或结构设计不当，容易导致漏感较大。漏感过大将直接影响驱动波形的上升和下降速度，尤其在MOSFET开关频率较高的应用中，影响更为明显，甚至会导致MOS

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[常见问题解答]决定MOSFET开关损耗的核心参数及其影响[ 2025-03-19 10:34 ]

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）是电力电子和开关电源中广泛应用的核心器件。在高频和高效能电路设计中，MOSFET的开关损耗直接影响整体能效和散热管理。因此，了解决定MOSFET开关损耗的核心参数及其影响，对于优化电路设计至关重要。一、MOSFET开关损耗的基本概念MOSFET在开关工作模式下，会经历从关断（高阻态）到导通（低阻态）以及从导通回到关断的过程。在这个转换期间，由于电压和电流不能瞬间变化，两者

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[常见问题解答]影响MOSFET开关损耗的主要参数解析[ 2025-03-08 12:12 ]

在电子电路设计中，MOSFET作为重要的开关器件，其开关损耗直接影响系统的能效和热管理。MOSFET在开关过程中会经历导通、关断等不同阶段，每个阶段都会涉及不同的能量损耗，而这些损耗受多种参数影响。一、MOSFET开关损耗的来源MOSFET的开关损耗主要来源于开通过程和关断过程，具体表现为：1. 开通损耗：MOSFET在从截止状态进入导通状态的过程中，漏极电流逐步上升，而漏极-源极电压逐步下降。这段时间内，MOSFET两端仍然存在较大的电压，同时流过较大的电流，导致功率损耗。2. 关断损耗：当MOSFET从导通状态

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[常见问题解答]MOS管驱动电阻的计算方法与参数优化[ 2024-10-28 14:39 ]

在电子电路中，MOS管驱动电阻的选择是影响系统性能的关键因素之一。合适的驱动电阻可确保 MOSFET稳定、准确地开关，从而提高效率并延长器件驱动电阻的使用寿命。针对不同应用场景的计算方法和参数优化建议，帮助设计人员找到实际电路中的最佳电阻值。一、驱动电阻的作用分析驱动电阻在MOSFET驱动电路中主要有两个作用。1. 抑制振动并提供阻尼。当MOS管导通时，驱动电阻通过减小电流来减小电流变化量，从而减少振动。这在高频开关条件下尤其重要，因为在高频开关条件下，阻尼不足，MOSFET开关过程可能会产生过多的电流尖峰，从而使

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[常见问题解答]功率MOSFET开关过程详解：开通与关断的物理原理[ 2024-10-10 12:04 ]

功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电力电子技术中的重要器件，广泛应用于各种开关电源、电机驱动和功率转换系统中。其高效率和开关性能使其成为理想的选择。要了解功率MOSFET的性能，掌握开关它们的物理过程非常重要。本文详细分析了MOSFET工艺的基本工作原理和重要影响因素。一、功率MOSFET工作原理概述功率MOSFET的结构主要由栅极、漏极和源极组成。由于栅极电压控制沟道中的电子或空穴，因此源极和漏极之间的电流由栅极电压控制。当栅极电压超过一定阈值时，电子流入沟道并形成导通状态。相反，如果栅极电压

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[常见问题解答]如何利用TVS保护方案应对碳化硅MOSFET的开关尖峰问题[ 2024-08-20 11:07 ]

在现代电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET由于其优越的高效能、高频率和高温性能，成为众多应用中的首选。然而，这种先进的半导体器件在快速开关过程中会产生电压尖峰，给电路稳定性带来挑战。为了有效应对这一问题，瞬态电压抑制二极管（TVS）保护方案成为一种行之有效的选择。本文将深入探讨如何利用TVS保护方案来应对碳化硅MOSFET的开关尖峰问题，并提供实际应用中的示例。一、碳化硅MOSFET开关尖峰的产生机制碳化硅MOSFET在高频率和高电流应用中表现出色，但在开关

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[常见问题解答]基于TNY279设计的一种LED光源驱动电路介绍[ 2022-11-15 16:04 ]

本文设计了一种LED光源驱动电路，介绍了设计原理和方法，采用电压和电流双环反馈，能够输出恒定的电压和电流，并且具有开环保护负载的功能，能有效提高LED光源的使用寿命。　　1芯片介绍　　本设计采用TNY279电源芯片作为开关电源的控制芯片，TNY279电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET开关和一个电源控制器，与普通的PWM控制器不同，它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8V稳压器、欠电压即过电压电路、限流选择电路、过热保护、电流限流保护、前沿

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-09 10:54 ]

〔壹芯〕生产IRF740场效应管10A-400V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：IRF740　　　　　　　极性：NIDA(A)：10　　　　　　　VDSS(V)：400RDS(on)　MAX(Ω)：0.55　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：5.8　Vgs(V)：20　Io(A)：6封装：TO-220知识科普电力场效应晶体管的基本特性之开关特性电力MOSFET开关特性的测试电路如图1.12（a）所示，开关特性如图1.12（b）所示。其中up为矩

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[常见问题解答]MOS管选型规范- MOS管选型规范的六个规格[ 2020-12-08 16:01 ]

MOS管选型规范- MOS管选型规范的六个规格MOS管选型规范原则有六个必知负载电流IL--它直接决定于MOSFET的输出能力；输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS–参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；MOS管最大允许工作温度–这要满足系统指定的可靠性目标。MOS管选型规范一、电压应力在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即

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[常见问题解答]技术全面地设计光耦继电器开关知识[ 2020-07-15 16:11 ]

技术全面地设计光耦继电器开关知识MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管。实际上，如果我们将其用作开关电路，则它比BJT更易于使用。如今，MOSFET在汽车，电源和一般电子设备的电路设计中作为低侧和高侧驱动器非常受欢迎。它是一种电压控制设备，因此很容易偏置成为开关。设计MOSFET开关有两种选择。一种是低压侧驱动，另一种是高压侧驱动。在前者中，当MOSFET饱和时，它将为电路接地提供路径。对于后者，当MOSFET饱和时，它将提供通往电路电源的路径。在本文中，我将使用继电器作为负载，因为它具有电感特性，可能会对设

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[常见问题解答]电源设计知识-10个电源设计最常用公式图[ 2020-03-11 14:44 ]

电源设计知识-10个电源设计最常用公式图电源是将其它形式的能转换成电能的装置。电源自“磁生电”原理，由水力、风力、海潮、水坝水压差、太阳能等可再生能源，及烧煤炭、油渣等产生电力来源。常见的电源是干电池（直流电）与家用的110V-220V 交流电源。本文将为你解析10个电源设计最常用的公式。非常实用，推荐收藏。1、MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax式中：Vor为副边折射到原边的反射电压，当输入为AC 220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压； VDS为MOSFE

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