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[常见问题解答]深入解析RC-IGBT：结构、工作原理与优势详解[ 2024-10-15 16:11 ]: RC-IGBT是一种集成FRD（快恢复二极管）功能的新型IGBT器件。它具有良好的结构设计、工作机理和技术优势，其结构、工作原理和优点使其得到广泛的应用，详细的分析将帮助您更深入地了解该装置的独特性和技术优势。一、RC-IGBT的结构和特性在大多数应用场景中，IGBT用于关断时关闭的感性负载。IGBT本身不能反向导通，因此需要快恢复二极管（FRD）。由于传统IGBT模块尺寸较大，已难以满足市场对更高性能、更小型器件的需求。为了解决上述问题，开发了芯片背面带有二极管过孔的回线IGBT（RC-IGBT），将IGBT和F; http://www.szyxwkj.com/Article/srjxrcigbt_1.html

[常见问题解答]IGBT驱动电路中的钳位电路介绍[ 2022-10-12 16:27 ]: 在IGBT驱动电路中有时会用到钳位电路，其主要目的是为了保护IGBT器件，避免运行参数超过集电极或者门极的极限参数，今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。Vce钳位电路Vce钳位电路目的是为了避免在大电流、短路、低温等特殊工况时，Vce之间的尖峰电压超过器件可以耐受的最大值，该电路的基本结构如下图所示。该电路由于设计简单而且能起到立杆见影的效果，被很多设计者采用。图一有源钳位电路示意图其钳位电压的选择可以采用以下公式：其中：Vmax为电路设计中允许的Vce电压最大值，应考虑器件阻断电压以及余; http://www.szyxwkj.com/Article/igbtqddlzd_1.html

[常见问题解答]IGBT主要参与应用特点[ 2019-10-11 12:05 ]: IGBT主要参与应用特点IGBT是一种双极性功率半导体器件，由BJT(双极型三极管)和MOS管复合而成, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，特别是600V以上应用中的功率损失相当低。虽然可以通过工艺技术提高BJT的性能，但无法从根本上解决BJT的电荷存储时间（STORAGE TIME）问题。也就是说，BJT在关闭时需耗费较长时间，不适合高速切换的应用，但完全满足市电供电的应用。IGBT基本特性包括静态特性和动态特性，其中静态特性由输出特性和转移特性组成，动态特性描述IGBT器件开关过程。; http://www.szyxwkj.com/Article/igbtzycyyy_1.html

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