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[行业资讯]7N60场效应管参数|7N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-24 16:00 ]
7N60场效应管参数|7N60(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 7N60 极性 NPN 漏源电压 600V 漏极电流 7.4A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-262,TO-263
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[行业资讯]5N70KL-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-29 16:15 ]
5N70KL-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微型号：5N70KL-TN3-R 极性：N沟道；电压：700V 电流：5A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销5N70KL-TN3-R参数中文资料,5N70KL-TN3-R封装管脚引脚图,5N70KL-TN3-R规格书:查看下载5N70KL-TN3-R的概述：7N60K是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于开关电源和
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[行业资讯]7N60KL-TN3-G场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-28 15:45 ]
7N60KL-TN3-G场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微型号：7N60KL-TN3-G 极性：N沟道；电压：600V 电流：7A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销7N60KL-TN3-G参数中文资料,7N60KL-TN3-G封装管脚引脚图,7N60KL-TN3-G规格书:查看下载7N60KL-TN3-G的概述：7N60K是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器
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[行业资讯]7N60场效应管 MOS 7N60场效应管参数中文资料(PDF)[ 2021-08-26 15:42 ]
7N60场效应管 MOS 7N60场效应管参数中文资料(PDF)7N60场效应管,封装形式为TO252/TO220两种封装,7N60场效应管规格书,7N60场效应管引脚管脚图壹芯微7N60完美匹配替代原型号FQP7N60场效应管参数壹芯微7N60数据手册下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。7N60,TO220数据手册(查看下载)7N60产品参数概要：绝对最大额定参数· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：600V· Gate-Sourc
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[行业资讯]「5N60,7N60,7N65」mos管和三极管两者的对比与区别-壹芯微[ 2021-07-26 09:40 ]
「5N60,7N60,7N65」mos管和三极管两者的对比与区别-壹芯微型号：5N60(5A,600V) 7N60(7A,600V) 7N65(7A,650V)品牌：壹芯微|类型：场效应管MOSFET|封装：TO-252/TO-220等|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值，然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻。而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂,容易出错；总体
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[行业资讯]7N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:05 ]
7N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微7N60（7A,600V N沟道场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252/TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询7N60场效应管主要参数参数\型号7N60极性NID(A)7VDSS(V)600RDS(ON):Max(Ω)1.25RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)6.5Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)3.5封装TO-252
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产7N60场效应管7A-600V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-05 14:11 ]
〔壹芯〕生产7N60场效应管7A-600V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：7N60　　　　　　　极性：NIDA(A)：7　　　　　　　VDSS(V)：600RDS(on)　MAX(Ω)：1.25　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：6.5　Vgs(V)：40　Io(A)：3.5封装：TO-252 TO-220MOSFET原理（以N沟增强型为例）由图5-18可以看出， MOSFET衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区，在栅极电压为零时，由于氧化层
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[常见问题解答]大功率场效应管型号参数详解[ 2019-05-18 15:20 ]
壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,大功率场效应管型号参数详解,请看下方Prato Numbe ID（A) VDSS（V) RDS（ON）Ω1N60H 1600 11.54N60H 4 600 2.77N60H 7 600 1.27N65H 7 650 1.4840S 8 500 0.913N50H 1
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