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[行业资讯]12N65场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换现货厂商 - 壹芯微[ 2021-08-31 16:13 ]: 12N65场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换现货厂商 - 壹芯微20N65场效应管参数(电流(ID):20A,电压(VDSS):650V),20N65(N沟道增强型场效应晶体管),20N65场效应管封装形式为TO220,20N65场效应管封装引脚规格书(PDF)Absolute maximum ratings绝对最大额定参数Symbol符号 | Parameter参数 | Value数值 | Unit单位VGS Gate-source voltage | 栅源电压：±25 VID Drain; http://www.szyxwkj.com/Article/12n65cmos_1.html

[行业资讯]「10N65,12N65,20N65」MOS场效应管的分类和作用-壹芯微[ 2021-07-27 09:00 ]: 「10N65,12N65,20N65」MOS场效应管的分类和作用-壹芯微型号：10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V) 20N65(20A,650V)品牌：壹芯微|类型：场效应管MOSFET|封装：TO-220/TO-3PN|多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型; http://www.szyxwkj.com/Article/10n6512n65_1.html

[行业资讯]20N65 TO-220/TO-3PN参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:29 ]: 20N65 TO-220/TO-3PN参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微20N65（20A,650V N沟道场效应功率管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-220/TO-3PN|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询20N65场效应管主要参数参数\型号20N65极性NID(A)20VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)0.38RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)18Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)10.0封装; http://www.szyxwkj.com/Article/20n65to220_1.html

[常见问题解答]〔壹芯〕生产20N65场效应管20A-650V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-07 10:27 ]: 〔壹芯〕生产20N65场效应管20A-650V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：20N65　　　　　　　极性：NIDA(A)：20　　　　　　　VDSS(V)：650RDS(on)　MAX(Ω)：0.38　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：18　Vgs(V)：40　Io(A)：10.0封装：TO-220 TO-3PN狭义的电子元器件在电子学中电子元器件的概念是以电原理来界定的，即能够对电信号（电流或电压）进行控制的基本单元。因此，只有电真空器件（; http://www.szyxwkj.com/Article/yxsc20n65c_1.html

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