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[行业资讯]12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换[ 2021-10-12 16:27 ]: 12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换12N65系列场效应管TO-220封装引脚图：壹芯微供应12N65系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封装形式TO-22012N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封装形式TO-220F112N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封装形式TO-220F212N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封装形式TO-220F12N65L-T2Q-T 12; http://www.szyxwkj.com/Article/12n65cxygc_1.html

[行业资讯]12N65场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换现货厂商 - 壹芯微[ 2021-08-31 16:13 ]: 12N65场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换现货厂商 - 壹芯微20N65场效应管参数(电流(ID):20A,电压(VDSS):650V),20N65(N沟道增强型场效应晶体管),20N65场效应管封装形式为TO220,20N65场效应管封装引脚规格书(PDF)Absolute maximum ratings绝对最大额定参数Symbol符号 | Parameter参数 | Value数值 | Unit单位VGS Gate-source voltage | 栅源电压：±25 VID Drain; http://www.szyxwkj.com/Article/12n65cmos_1.html

[行业资讯]FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微[ 2021-08-31 15:29 ]: FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微12N65场效应管参数(电流(ID):12A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值(Ta=25℃)SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALUE价值 | UNIT单元VDSS，Drain-Source Voltage漏源电压： 650V VGS，G; http://www.szyxwkj.com/Article/12n65mos_1.html

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