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[行业资讯]10N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-24 16:42 ]
10N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 10N65 极性 NPN 漏源电压 650V 漏极电流 10A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-262,TO-263,TO-220F2
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[行业资讯]10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册[ 2021-10-12 16:06 ]
10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册10N65系列场效应管TO-220封装引脚图:壹芯微供应10N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)10N65L-TA3-T 10N65G-TA3-T 封装形式TO-22010N65L-TF1-T 10N65G-TF1-T 封装形式TO-220F110N65L-TF2-T 10N65G-TF2-T 封装形式TO-220F210N65L-TF3-T 10N65G-TF3-T 封装形式TO-220F10N65L-T2Q-T 1
http://www.szyxwkj.com/Article/10n65cxygc_1.html3星
[行业资讯]FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微[ 2021-08-31 15:29 ]
FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微12N65场效应管参数(电流(ID):12A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值(Ta=25℃)SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALUE价值 | UNIT单元VDSS,Drain-Source Voltage漏源电压: 650V VGS,G
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[行业资讯]10N65场效应管参数中文资料PDF(选型替代FQP10N65) - 壹芯微[ 2021-08-31 14:15 ]
10N65场效应管参数中文资料PDF(选型替代FQP10N65) - 壹芯微10N65场效应管参数(电流(ID):10A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)壹芯微10N65数据手册下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。10N65,TO220数据手册(查看下载)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 绝对最大额定参数(Ta=25℃)SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALU
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[行业资讯]10N65 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:17 ]
10N65 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微10N65(10A,650V N沟道场效应功率管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询10N65场效应管主要参数参数\型号10N65极性NID(A)10VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)1.0RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)6.2Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)5.0封装TO-220描述:壹芯10N6
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产10N65场效应管10A-650V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-07 09:46 ]
〔壹芯〕生产10N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号:10N65       极性:NIDA(A):10       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):1.0 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):6.2 Vgs(V):40 Io(A):5.0封装:TO-220场效应管的主要性能参数本文再次主要以VDMOS(垂直双扩散MOS)为例进行介绍。VDMOS的结构如图5-20所示。VDMOS的电性能参数如下。(1)阙
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