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[常见问题解答]场效应管10N65怎么测量好坏[ 2023-08-09 18:01 ]
MOS管10N65怎么测量好坏为什么要检测mos管的好坏?为了保护板上的其他元件,在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要。mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚。当使用有故障的MOS管时,会发生漏极到栅极的短路,对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈,这也会影响栅极端子。电压到达该端后,通过栅极电阻进一步传输到驱动电路,这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏。因此,在使用前检测mos管10N65的质量可以避免损坏整个电路。那么MOS管10N65如何测量好坏呢?测量mos管10N65
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[行业资讯]12N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-25 13:55 ]
12N65场效应管参数|12N65(TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 12N65 极性 NPN 漏源电压 650V 漏极电流 12A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-262,TO-263,TO-3P,TO-3PN
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[行业资讯]10N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-24 16:42 ]
10N65场效应管参数|10N65(TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 10N65 极性 NPN 漏源电压 650V 漏极电流 10A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-262,TO-263,TO-220F2
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[行业资讯]10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册[ 2021-10-12 16:06 ]
10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册10N65系列场效应管TO-220封装引脚图:壹芯微供应10N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)10N65L-TA3-T 10N65G-TA3-T 封装形式TO-22010N65L-TF1-T 10N65G-TF1-T 封装形式TO-220F110N65L-TF2-T 10N65G-TF2-T 封装形式TO-220F210N65L-TF3-T 10N65G-TF3-T 封装形式TO-220F10N65L-T2Q-T 1
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[行业资讯]FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微[ 2021-08-31 15:29 ]
FQP12N65选型替代,12N65场效应管参数中文资料PDF - 壹芯微12N65场效应管参数(电流(ID):12A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS绝对最大额定值(Ta=25℃)SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALUE价值 | UNIT单元VDSS,Drain-Source Voltage漏源电压: 650V VGS,G
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[行业资讯]10N65场效应管参数中文资料PDF(选型替代FQP10N65) - 壹芯微[ 2021-08-31 14:15 ]
10N65场效应管参数中文资料PDF(选型替代FQP10N65) - 壹芯微10N65场效应管参数(电流(ID):10A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)壹芯微10N65数据手册下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。10N65,TO220数据手册(查看下载)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 绝对最大额定参数(Ta=25℃)SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALU
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[常见问题解答]「10N65」常见场效应MOS管使用过程需要注意有哪些-壹芯微[ 2021-08-03 11:38 ]
「10N65」常见场效应MOS管使用过程需要注意有哪些-壹芯微10N65 TO-220 (10A,650V)N沟道 直插 MOS场效应管10N65(数据手册PDF):查看下载自主品牌 厂家直销 参数达标 性能稳定 完美替代 免费样品 欢迎咨询主要参数参数\型号10N65极性NID(A)10VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)1.0RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)6.2Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)5.0封装TO
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[行业资讯]「10N65」MOS场效应管相关知识看这一篇就够了 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:00 ]
「10N65」MOS场效应管相关知识看这一篇就够了型号:10N65(10A,650V)封装:TO-220品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询场效应管分类场效应管分为结型(JFET)和金属 - 氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型。JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor,也分为N沟道和P沟道两种,在实际中几乎不用。MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tr
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[行业资讯]「10N65」MOS场效应管工作原理解析 - 壹芯微[ 2021-07-28 09:00 ]
「10N65」MOS场效应管工作原理解析 - 壹芯微科技型号:10N65(10A,650V)封装:TO-220/TO-220F/ITO-220/TO-262/TO-263品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS管的工作原理增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个 PN结处于反偏状态,漏 - 源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,即V
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[行业资讯]「10N65,12N65」场效应MOS管的三个极解析-壹芯微[ 2021-07-27 09:20 ]
「1N065,12N65」场效应MOS管的三个极解析-壹芯微型号:10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V)品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET|封装:TO-220|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是
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[行业资讯]「10N65,12N65,20N65」MOS场效应管的分类和作用-壹芯微[ 2021-07-27 09:00 ]
「10N65,12N65,20N65」MOS场效应管的分类和作用-壹芯微型号:10N65(10A,650V) 12N65(12A,650V) 20N65(20A,650V)品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET|封装:TO-220/TO-3PN|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管),属于绝缘栅型
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[行业资讯]10N65 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-12 09:17 ]
10N65 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微10N65(10A,650V N沟道场效应功率管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询10N65场效应管主要参数参数\型号10N65极性NID(A)10VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)1.0RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)6.2Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)5.0封装TO-220描述:壹芯10N6
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产10N65场效应管10A-650V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-07 09:46 ]
〔壹芯〕生产10N65场效应管7A-650V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号:10N65       极性:NIDA(A):10       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):1.0 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):6.2 Vgs(V):40 Io(A):5.0封装:TO-220场效应管的主要性能参数本文再次主要以VDMOS(垂直双扩散MOS)为例进行介绍。VDMOS的结构如图5-20所示。VDMOS的电性能参数如下。(1)阙
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