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[行业资讯]100N03场效应管参数|100N03(TO220,TO252)规格书资料|壹芯微[ 2022-03-02 15:38 ]
100N03场效应管参数|100N03(TO220,TO252)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 100N03 极性 NPN 漏源电压 30V 漏极电流 100A 封装 TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252,TO-252D,DFN5060-8,TO-263
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[行业资讯]「100N03,120N03,80N07」N沟道MOS管和P沟道MOS管全面解析(图)-壹芯微[ 2021-07-27 09:30 ]
「100N03,120N03,80N07」N沟道MOS管和P沟道MOS管全面解析(图)-壹芯微型号:100N03(100A,30V) 120N03(120A,30V) 80N07(80A,70V)品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET|封装:TO-220/TO252|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电
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[行业资讯]100N03 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-13 09:30 ]
100N03 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微100N03(100A,30V N沟道场效应晶体管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220/TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询100N03场效应管主要参数参数\型号100N03极性NID(A)100VDSS(V)30RDS(ON):Max(Ω)0.0042RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~3Gfs(min):(S)40Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产100N03场效应管100A-30V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 11:53 ]
〔壹芯〕生产100N03场效应管100A-30V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号:100N03       极性:NIDA(A):100       VDSS(V):30RDS(on) MAX(Ω):0.0042 VGS(V):10 VGS(th) (V):1~3Gfs(min) (S):40 Vgs(V):10 Io(A):30封装:TO-220 TO-252图(l.3)N沟道和P沟道MOSFET的图形符号电力MOSFET研究的目的主要是解决MOS器件的大电流、高电压问题,以提高其功率
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