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[常见问题解答]基于7812制作的电源电路图介绍[ 2023-03-19 15:58 ]
基于7812制作的电源电路图介绍78XX系列的三端稳压芯片,制作电压简单又方便。但是一般的常规电路,用在300mA一下的低频负载没什么问题,如果用在给QRP电台供电,可能就会莫名的出现一些“幺蛾子”。轻则芯片自激发热,重则电台总是“哼哼”。交流哼声,在DC(直变)接收机中比较容易发生,工作频率越高,这种状况越普遍,在14MHz和以上频率可能会更严重。产生这样情况的机理,主要是因为DC接收机的差拍频率与接收频率相同,可变差拍振动器VBFO的高频能量串入电源,到达整流二极
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[行业资讯]FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数[ 2021-09-11 12:10 ]
FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数FDD8444(N沟道增强型场效应晶体管);FDD8444场效应管参数;FDD8444场效应管封装引脚图;FDD8444场效应管中文资料规格书(PDF);  电流(ID):145A,电压(VDSS):40V,封装形式:TO252产品概要典型 rDS(on)=4mΩ at VGS=10V, ID=50A典型值Qg(10)=89nC,VGS=10V低米勒电荷低Qrr体二极管UIS能力(单脉冲/重复脉冲)符合AECQ101符合RoH
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[行业资讯]FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微[ 2021-09-09 11:24 ]
FDD8444_F085场效应管参数中文资料(PDF) 选型替换 现货厂商 - 壹芯微FDD8444_F085(N沟道增强型场效应晶体管);FDD8444_F085场效应管参数;FDD8444_F085场效应管封装引脚图;FDD8444_F085场效应管中文资料规格书(PDF);电流(ID):145A,电压(VDSS):40V,封装形式:TO252产品概要典型RDS(on)=4mW,VGS=10V,ID=50ATyp Qg(10)=89nC,VGS=10V,ID=50A低米勒电荷低Qrr体二极管UIS能力(单脉冲/
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[常见问题解答]内置肖特基二极管的MOSFET能不能提高应用性能[ 2019-11-29 14:54 ]
当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时,体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Qrr数值很低的软反向恢复时,集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。在同步整流和电桥结构中,RDSon和Qg两个参数并不是对功率MOSFET的唯一要求,实际上,本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大。体漏二极管的正向压降(VF,diode)影响开关在续流期间(开关处于关断状态,电流从源极经本征二极管流至漏极)的功率损耗;反向恢
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[常见问题解答]理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性知识[ 2019-09-25 13:48 ]
半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度要低很多,反向恢复电荷也要大很多,因此反向恢复的特性较差。这样,导致二极管的开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率MOSFET的安全工作 。功率MOSFET数据表中,通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间,并没有给出和实际应用相关的
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[常见问题解答]快恢复二极管的短载流子寿命控制技术详解[ 2019-03-05 18:20 ]
壹芯微作为国内专业生产快恢复二极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,今天我们分享的是,快恢复二极管的短载流子寿命控制技术详解,请看下方在很多情况下特别是对那些需要工作在较高類率的器件而言,缩短载流子寿命,进而对恢复电荷、关断时间等关键参数进行控制是十分重要的。具体对于快恢复二极管应用载流子寿命控制技术要求尽量减小存储电荷Qrr、加速Qr
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