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[行业资讯]CEU6042 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微[ 2021-09-15 11:48 ]: CEU6042 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微CEU6042场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：90A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号CEU6042特性60V，90A，Ros(on)=5m2@Ves=10V。用于极低Ros(oN)的超高密度电池设计高功率和电流处理能力。无铅电镀；符合RoHS。TO-251和TO-252封装。CEU6042绝对最大额定参数漏源电压 VDS; http://www.szyxwkj.com/Article/ceu6042to2_1.html

[行业资讯]ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微[ 2021-09-14 09:50 ]: ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微ATP404场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：95A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号漏源电压 VDSS 60 V栅源电压 VGSS ±20 V漏极电流 (DC) ID 95 A漏极电流（脉冲）IDP PW≤10μs，占空比≤1% 380 A允许功耗 PD Tc=25°C 70 W通道温度 Tc; http://www.szyxwkj.com/Article/atp404to25_1.html

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