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[常见问题解答]高效能与低功耗：AO8822 MOS管特点与应用解析[ 2024-12-26 11:41 ]: AO8822是一款广泛应用于低功耗设计领域的双NMOS晶体管。其优异的性能和多样化的应用场景使其成为众多电子工程师首选的分立器件之一。我们从实际应用的角度来分析如何在各种情况下同时实现高性能和低功耗。一、AO8822的主要特点1. 电阻仅为0.018欧姆该功能大大降低了器件开启时的功耗，非常适合需要频繁开关的电路。这在高负载下连续运行时尤其重要。2. 高电流容量AO8822支持高达7A的连续漏极电流，最大漏源电压为20V。这种能力使其能够处理高功率或高峰值电流的情况，表现出很强的适应性。3. 快速开关速度该器件具有; http://www.szyxwkj.com/Article/gxnydghao8_1.html

[技术文章]SS34 典型应用电路[ 2024-04-20 12:00 ]: SS34 是一种广泛应用于电子设备的半导体元件，通常作为肖特基二极管使用。这种元件因其独特的参数特点和高效的应用场景而被广泛采用。以下是关于 SS34 的一些详细应用场景和参数特点。一、SS34 的参数特点1. 低正向电压降：SS34 提供较低的正向电压降，通常在0.5V左右，这使得它在需要高效电力转换的应用中非常有用。2. 高电流容量：该元件能够处理的最大电流达到3A，这使得 SS34 特别适合于高电流应用场景。3. 快速开关速度：SS34 具有快速的开关响应时间，有助于提高整个系统的响应速度和效率。4. 高温稳; http://www.szyxwkj.com/Article/ss34dxyydl_1.html

[行业资讯]UTT60N10L-TN3-R(MOS场效应管) UTT60N10L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微[ 2021-09-13 09:40 ]: UTT60N10L-TN3-R(MOS场效应管) UTT60N10L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微UTT60N10L-TN3-R场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：100V；电流(ID)：60A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号RDS(ON)=18mΩ @ VGS=10V,ID=20A高开关速度高电流容量低栅极电荷（典型值为 50nC）Drain-Source Voltage漏源电压VDSS 100 VGate-S; http://www.szyxwkj.com/Article/utt60n10lt_1.html

[行业资讯]UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道[ 2021-09-11 11:30 ]: UTT60N10G-TN3-R TO-252 MOS管100V 60A N沟道UTT60N10G-TN3-R(N沟道增强型场效应晶体管)；UTT60N10G-TN3-R场效应管参数；UTT60N10G-TN3-R场效应管封装引脚图；UTT60N10G-TN3-R场效应管中文资料规格书(PDF)；电流(ID)：60A，电压(VDSS)：100V，封装形式：TO252 产品概要* RDS(ON)<24mΩ @ VGS=10V, ID=30A* 高切换速度* 高电流容量绝对最大额定; http://www.szyxwkj.com/Article/utt60n10gt_1.html

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